[發明專利]量子點發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201811443037.6
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN111244302B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 梁柱榮;曹蔚然;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 方良

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種量子點發光二極管及其制備方法。所述量子點發光二極管，包括陽極、陰極以及設置在所述陽極和所述陰極之間的量子點發光層，所述量子點發光層與所述陰極之間設置有電子傳輸層，所述電子傳輸層靠近所述量子點發光層的表面設置有離子液體材料層。該器件中的離子液體材料層不僅提高了器件的發光性能，而且提高了器件的可設計性和使用壽命。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

量子點發光二極管(Quantum dots light-emitting diode,QLED)，是一種新興的顯示器件，其原理和結構與有機發光二極管(Organic light-emitting diode,OLED)相似：即量子點和有機/無機半導體在外加直流電場驅動下，激子復合發光的一種平板顯示器件。對比OLED，QLED的特點在于其發光材料采用膠體法制備的量子點。量子點獨特的量子尺寸效應、宏觀量子隧道效應、量子尺寸效應和表面效應使其展現出出色的物理性質，尤其是優異的光學性能。相對于有機熒光染料，膠體量子點具有光譜可調，發光強度大、色純度高、單光源可激發多色熒光等優勢，有望成為下一代的平板顯示器，具有廣闊發展前景。

由于QLED器件中，量子點和器件內部常用的金屬納米顆粒傳輸層材料一般采用溶液法制備，因此業內對QLED的產業化的合適工藝普遍認為是溶液法中的噴墨打印法，該制備工藝簡單，材料利用率低，制備效率高，被認為是未來平板顯示非常有潛力的新技術。雖然QLED與OLED相比具有眾多優勢，但是由于QD及部分傳輸層材料等都是溶液相的納米顆粒，與OLED膜層的成熟蒸鍍工藝相比，成膜性能不容易控制，容易出現覆蓋不全或者“針孔”等膜層問題，這不僅會對器件產生漏電流，降低器件的發光性能，并且最重要的是這些缺陷區域會極大地影響器件的壽命。而根據目前業內的研究進展，QLED的器件效率已經達到市場化水平，但是器件壽命短的問題是制約QLED商業化的最大瓶頸，而此問題也是業內一致在努力解決的關鍵突破點。目前有報道通過改善封裝方法、在ETL/Cathode界面引入絕緣高分子修飾層等途徑提高器件壽命，但是提高效果不明顯，且絕緣高分子層的引入反而會降低載流子的遷移率，以犧牲部分器件性能的基礎上獲得載流子的平衡和壽命的提高，這些方法雖然有一定效果但是并未能很好提高器件的壽命。

因此，現有技術還有待進一步的研究和發展。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的上述不足，提供一種量子點發光二極管及其制備方法，旨在解決現有器件的電子傳輸層的界面不均勻，膜層出現“針孔”現象，從而降低器件的發光效率和使用壽命的技術問題。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

本發明一方面提供一種量子點發光二極管，包括陽極、陰極以及設置在所述陽極和所述陰極之間的量子點發光層，所述量子點發光層與所述陰極之間設置有電子傳輸層，所述電子傳輸層靠近所述量子點發光層的表面設置有離子液體材料層。

本發明提供的量子點發光二極管中，在電子傳輸層靠近所述量子點發光層的表面設置有離子液體材料層，因離子液體材料具有化學性質穩定、黏結度大、阻隔水氧能力強等特點，其形成一層致密的離子液體材料層后，一方面能夠提高載流子傳輸，鈍化功能層表面(即電子傳輸層的表面)的缺陷，從而降低器件內部載流子的傳輸勢壘，提高器件的發光性能；同時離子液體材料層覆蓋在電子傳輸層表面，有效地克服了電子傳輸層表面覆蓋不全或存在針孔或表面不平整的缺陷，同時當量子點發光二極管為柔性器件時，通過引入離子液體材料層，能夠在器件彎曲折疊過程中有效地保護電子傳輸層，并實現裂縫的自修復功能，從而提高器件的可設計性和使用壽命。

本發明另一方面提供一種量子點發光二極管的制備方法，包括如下步驟：

提供基底；

在所述基底上制備離子液體材料層。