[發明專利]量子點發光二極管及其制備方法有效
| 申請號： | 201811443037.6 | 申請日： | 2018-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN111244302B | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發明（設計）人： | 梁柱榮;曹蔚然;錢磊 | 申請（專利權）人： | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 量子 發光二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種量子點發光二極管，包括陽極、陰極以及設置在所述陽極和所述陰極之間的量子點發光層，所述量子點發光層與所述陰極之間設置有電子傳輸層，其特征在于，所述電子傳輸層靠近所述量子點發光層的表面設置有離子液體材料層；所述離子液體材料層中包括一種或多種離子液體材料，所述離子液體材料為有機陽離子和無機陰離子組成的鹽；其中，
所述有機陽離子選自烷基季磷離子，所述烷基季磷離子選自十四烷基三丁基磷陽離子、乙基三丁基磷陽離子和四丁基磷陽離子中的至少一種，所述無機陰離子選自鹵素離子和無機酸陰離子中的一種，所述有機陽離子為非對稱陽離子，所述有機陽離子和所述無機陰離子之間形成有氫鍵；所述離子液體材料層的厚度為5-80nm。
2.如權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層、所述離子液體材料層與所述量子點發光層層疊形成。
3.如權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述鹵素離子選自F-、Cl-、Br-和I-中的一種；或者，
所述無機酸陰離子選自BF4-、PF6-、CF3SO3-、CF3COO-、(CF3SO2)3C-、(C2F5SO2)3C-、(CF3SO2)2N-、NO2-、NO3-、ClO4-和C8H17SO4-中的一種。
4.如權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自過渡金屬氧化物和過渡金屬硫系化合物中的一種或多種納米顆粒。
5.一種如權利要求1-4任一項所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供基底；
在所述基底上制備離子液體材料層。
6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，在所述基底上制備離子液體材料層的步驟包括：直接將一種或多種離子液體材料沉積在所述基底上，進行退火處理；或者，
配制含有一種或多種離子液體材料的溶液，將所述溶液沉積在所述基底上后，進行退火處理。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
