[發明專利]一種二極管芯片清洗工藝

在審

• 申請號: 201811442303.3
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109616402A
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 吳強德
• 申請（專利權）人: 嘉興柴薪科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C11D7/06;C11D7/04;C11D7/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

一種二極管芯片的清洗工藝。涉及清洗工藝中所用清洗液配方的改進。能進一步減少芯片側表面金屬離子，從而避免芯片在工作中會出現“爬電”現象。依次包括混酸洗、雙磷洗和氨洗，氨洗時的清洗液包括氨水、水和雙氧水，它們的重量比是氨水0.5份∶水1.5份∶雙氧水0.5份。與以往的配方相比，本發明在氨洗液中加入了雙氧水，在充分混合的情況下通過下酸管道下到酸洗盤上，酸液沒過上釘頭(相當于芯片上端面的夾具部件)使得反應充分，進而能使芯片側表面的金屬雜質去除得更加徹底，材料在高溫下使用更加穩定，降低由于表面漏電的偏大而導致材料電性的不穩定。

技術領域

本發明涉及半導體芯片的清洗工藝，尤其涉及清洗工藝中所用清洗液配方的改進。

背景技術

現有技術對二極管芯片清洗的工藝過程是：混酸清洗、雙磷清洗和氨水清洗，在每道清洗工序后有清水的清洗工序。其中混酸清洗時清洗液中包括硝酸、硫酸、氫氟酸和冰醋酸；雙磷清洗時清洗液中包括雙氧水和磷酸，氨水清洗時的清洗液是氨水稀釋溶液。

原來使用的氨水配比為3份水和1份氨水，前面雙磷對晶粒主要是起氧化作用，因為經混酸反應之后，單質Si有一個懸掛鍵露在外邊，雙氧水在酸性條件下又與金屬原子形成金屬氧化物，然后又與H₃PO₄反應生成金屬離子，通過沖洗后去除重金屬原子。在NH₃這一步，是通過NH₄+的絡合作用把金屬離子進一步去除干凈，但部分金屬原子在混酸中沒有被完全氧化也進入到第三道清洗過程中，在第三道清洗的離子震蕩過程中不能被去除。整個過程中晶粒表面的金屬污染的去除效果沒有我們預期的那么好，從而影響酸洗二極管的電性。

發明內容

本發明針對現有技術中的問題，提供了一種能進一步減少芯片側表面金屬離子，從而避免芯片在工作中會出現“爬電”現象的二極管芯片的清洗工藝。

本發明的技術方案是：依次包括混酸洗、雙磷洗和氨洗，所述氨洗時的清洗液包括氨水、水和雙氧水，它們的重量比是氨水0.5份∶水1.5份∶雙氧水0.5份。所述氨水、水和雙氧水的配置方式為：將所述水量的1/3先置入容器，再往其中加入所述的氨水，接著將剩余的水加入，最后加入所述雙氧水。與以往的配方相比，本發明在氨洗液中加入了雙氧水，在充分混合的情況下通過下酸管道下到酸洗盤上，酸液沒過上釘頭(相當于芯片上端面的夾具部件)使得反應充分，進而能使芯片側表面的金屬雜質去除得更加徹底，材料在高溫下使用更加穩定，降低由于表面漏電的偏大而導致材料電性的不穩定。

具體實施方式

本發明的清洗工藝依次包括混酸洗、雙磷洗和氨洗，所述氨洗時的清洗液包括氨水、水和雙氧水，它們的重量比是氨水0.5份∶水1.5份∶雙氧水0.5份。所述氨水、水和雙氧水的配置方式為：將所述水量的1/3先置入容器，再往其中加入所述的氨水，接著將剩余的水加入，最后加入所述雙氧水。

本發明的作用機理是：雙氧水具有強氧化的作用，由于經過雙磷之后芯片的晶粒表面殘留的金屬原子在雙氨中被雙氧水強氧化形成金屬氧化物，以利于去除晶粒表面的金屬雜質污染。本發明的核心在于改善酸洗二極管酸洗工藝中雙氨的配比方式，從而達到在經過雙氨的過程中進一步去除金屬雜質污染的效果。