[發(fā)明專利]一種二極管腐蝕清洗工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811441786.5
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109585271A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳強(qiáng)德
• 申請（專利權(quán)）人: 嘉興柴薪科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/306
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明涉及一種二極管腐蝕清洗工藝，所述清洗工藝依次為腐蝕、鈍化、鈍化雜質(zhì)清洗、熱水沖洗浸泡,其中腐蝕為通過化學(xué)腐蝕方式去除芯片側(cè)面因切割而產(chǎn)生的損傷層,鈍化為通過化學(xué)反應(yīng)方式鈍化芯片側(cè)面，使芯片側(cè)面形成鈍化保護(hù)層，鈍化表面雜質(zhì)清洗為通過化學(xué)反應(yīng)方式去有機(jī)雜質(zhì)，金屬離子，顆粒沾污。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：添加熱水沖水浸泡工藝，使得吸附在芯片鈍化層表面的有機(jī)雜質(zhì)、金屬離子以及顆粒沾污物質(zhì)因熱量因素加速溶解，提升清洗效果，從而降低因芯片表面沾污而導(dǎo)致的產(chǎn)品漏電流，提升產(chǎn)品的良率及可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種二極管腐蝕清洗機(jī)，特別涉及一種能夠有效降低二極管反向漏電流及提升二極管產(chǎn)品可靠性的二極管腐蝕清洗機(jī)。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)二極管腐蝕清洗機(jī)工藝流程:腐蝕工位；鈍化工位；鈍化表面雜質(zhì)清洗工位。該工藝存在以下不足之處:資源如純水消耗量大、產(chǎn)品反向漏流值高，穩(wěn)定性差、工藝管控范圍窄，對員工技能及責(zé)任性要求高，易產(chǎn)生波動，而且芯片表面沾污而導(dǎo)致的產(chǎn)品漏電流，產(chǎn)品的良率及可靠性降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠有效降低二極管反向漏電流及提升二極管產(chǎn)品可靠性的二極管腐蝕清洗機(jī)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明為一種二極管腐蝕清洗工藝，其創(chuàng)新點(diǎn)在于:腐蝕清洗工藝依次為腐蝕、鈍化、鈍化雜質(zhì)清洗、熱水沖洗浸泡，其中腐蝕為通過化學(xué)腐蝕方式去除芯片側(cè)面因切割而產(chǎn)生的損傷層，鈍化為通過化學(xué)反應(yīng)方式鈍化芯片側(cè)面，使芯片側(cè)面形成鈍化保護(hù)層，鈍化表面雜質(zhì)清洗為通過化學(xué)反應(yīng)方式去有機(jī)雜質(zhì)，金屬離子，顆粒沾污；熱水沖水浸泡工藝使得吸附在芯片鈍化層表面的有機(jī)雜質(zhì)、金屬離子以及顆粒沾污物質(zhì)因熱量因素加速溶解。具體步驟如下:

第一步，腐蝕:選取以下材料的混合液作為腐蝕液，具體HNO₃:HF:CH₃COOH:H₂SO₄＝9:9:12:4，然后在溫度為25℃±5℃腐蝕浸泡一次；

第二步，鈍化:鈍化時(shí)，鈍化工藝所用原材料及配比為:H₃PO₄:H₂O₂:H₂O＝1:1:3，然后在溫度65℃±10℃鈍化一次；

第三步，鈍化雜質(zhì)清洗:清洗液為NH₄OH:H₂O₂:H₂O＝1:1:5，在溫度為25℃±3℃清洗一次；

第四步，熱水沖洗浸泡:在溫度為55-70℃，沖洗浸泡30S；

進(jìn)一步地，所述腐蝕液中，HNO₃的濃度為68.5％±2％，HF的濃度為49％±0.5％，CH₃COOH的濃度為大于等于99.5％；H₂SO₄的濃度為97％±1％。

進(jìn)一步地，所述鈍化原材料中，H₃PO₄的濃度大于等于85％，H₂O₂的濃度大于等于35％。

進(jìn)一步地，所述清洗液中NH₄OH的濃度17％±1％，H₂O₂的濃度大于等于35％。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:添加熱水沖水浸泡工藝，使得吸附在芯片鈍化層表面的有機(jī)雜質(zhì)、金屬離子以及顆粒沾污物質(zhì)因熱量因素加速溶解，從而降低因芯片表面沾污而導(dǎo)致的產(chǎn)品漏電流，提升產(chǎn)品的良率及可靠性。

具體實(shí)施方式