[發(fā)明專利]一種二極管腐蝕清洗工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811441786.5
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109585271A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳強德
• 申請（專利權(quán)）人: 嘉興柴薪科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/306
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種二極管腐蝕清洗工藝，其特征在于：所述清洗工藝依次為腐蝕、鈍化、鈍化雜質(zhì)清洗、熱水沖洗浸泡,其中腐蝕為通過化學(xué)腐蝕方式去除芯片側(cè)面因切割而產(chǎn)生的損傷層,鈍化為通過化學(xué)反應(yīng)方式鈍化芯片側(cè)面，使芯片側(cè)面形成鈍化保護層，鈍化表面雜質(zhì)清洗為通過化學(xué)反應(yīng)方式去有機雜質(zhì)，金屬離子，顆粒沾污；熱水沖水浸泡工藝使得吸附在芯片鈍化層表面的有機雜質(zhì)、金屬離子以及顆粒沾污物質(zhì)因熱量因素加速溶解。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管腐蝕清洗工藝，其特征在于：所述方法的具體步驟如下：

第一步，腐蝕：選取以下材料的混合液作為腐蝕液，具體HNO₃:HF:CH₃COOH:H₂SO₄＝9:9:12:4，然后在溫度為25℃±5℃腐蝕浸泡一次；

第二步，鈍化：鈍化時，鈍化工藝所用原材料及配比為：H₃PO₄:H₂O₂:H₂O＝1:1:3，然后在溫度65℃±10℃鈍化一次；

第三步，鈍化雜質(zhì)清洗：清洗液為NH₄OH:H₂O₂:H₂O＝1:1:5，在溫度為25℃±3℃清洗一次；

第四步，熱水沖洗浸泡：在溫度為55-70℃，沖洗浸泡30。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二極管腐蝕清洗工藝，其特征在于：所述第一步腐蝕液中，HNO₃的濃度為68.5％±2％；HF的濃度為49％±0.5％；CH₃COOH的濃度為大于等于99.5％；H₂SO₄的濃度為97％±1％。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二極管腐蝕清洗工藝，其特征在于：所述第二步鈍化原材料中H₃PO₄的濃度大于等于85％，H₂O₂的濃度大于等于35％。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二極管腐蝕清洗工藝，其特征在于：所述第三步鈍化雜質(zhì)清洗液中NH₄OH的濃度為17％±1％，H₂O₂的濃度大于等于35％。