[發(fā)明專利]一種柔性可彎曲電子信息玻璃的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811441772.3 | 申請(qǐng)日： | 2018-11-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109448922B | 公開（公告）日： | 2020-08-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 彭壽;馬立云;姚婷婷;李剛;沈洪雪;金克武;王天齊;彭塞奧;楊揚(yáng);湯永康;甘治平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中建材蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01B13/00 | 分類號(hào)： | H01B13/00;H01B5/14;H01B12/06 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 陳俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 柔性 彎曲 電子信息 玻璃 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開一種柔性可彎曲電子信息玻璃的制備方法，包括以下步驟：S1、采用經(jīng)過羥基化處理的柔性基底，在柔性基底表面制備預(yù)制導(dǎo)電層；S2、采用磁控濺射或原子層沉積工藝在預(yù)制導(dǎo)電層表面制備第一透明導(dǎo)電膜層；S3、在第一透明導(dǎo)電膜層表面制備高透減反層；S4、在高透減反層表面制備超導(dǎo)層；S5、采用磁控濺射或原子層沉積工藝在超導(dǎo)層表面制備第二透明導(dǎo)電膜層，得到所述柔性可彎曲電子信息玻璃；本發(fā)明方法能夠制備出的柔性可彎曲電子信息玻璃具有附著力強(qiáng)、成本低、透過率高、電阻低且性能穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及透明導(dǎo)電薄膜技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種柔性可彎曲電子信息玻璃的制備方法。
背景技術(shù)
柔性顯示蓬勃發(fā)展，因此電子信息玻璃吸引了很多的注意力。典型的用途包括，柔性電子產(chǎn)品、柔性透明有機(jī)太陽能電池、大尺寸柔性平板顯示、節(jié)能紅外反射膜、智能變色窗等，對(duì)柔性電子信息玻璃的需求增多、要求逐漸提高。高分辨率、節(jié)能、低成本、附著力強(qiáng)等要求，需要柔性電子信息玻璃具有較高的透過率、較低的電阻率、較強(qiáng)的結(jié)合力。得到可應(yīng)用于產(chǎn)品開發(fā)的柔性電子信息玻璃已成為一個(gè)關(guān)鍵問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種柔性可彎曲電子信息玻璃的制備方法，該方法能夠制備出附著力強(qiáng)、成本低、透過率高、電阻低且性能穩(wěn)定的柔性可彎曲電子信息玻璃。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：
一種柔性可彎曲電子信息玻璃的制備方法，包括以下步驟：
S1、采用經(jīng)過羥基化處理的柔性基底，利用磁控濺射或原子層沉積工藝在柔性基底表面制備預(yù)制導(dǎo)電層，預(yù)制導(dǎo)電層為5～15nm厚度的鋁膜、銀膜、金膜、銅膜或鈦膜；
S2、采用磁控濺射或原子層沉積工藝在預(yù)制導(dǎo)電層表面制備第一透明導(dǎo)電膜層，第一透明導(dǎo)電膜層為200～300nm厚度的鋁摻雜氧化鋅薄膜、鎵摻雜氧化鋅薄膜、銦鎵摻雜氧化鋅薄膜或硼摻雜氧化鋅薄膜；
S3、在第一透明導(dǎo)電膜層表面制備高透減反層，高透減反層為采用垂直浸漬、線棒刮涂、旋涂或提拉工藝制備的單分散SiO2小球薄膜；
S4、利用磁控濺射或原子層沉積工藝在高透減反層表面制備超導(dǎo)層，超導(dǎo)層為15～25nm厚度的鋁膜、銀膜、金膜、銅膜或鈦膜；
S5、采用磁控濺射或原子層沉積工藝在超導(dǎo)層表面制備第二透明導(dǎo)電膜層，得到所述柔性可彎曲電子信息玻璃；第二透明導(dǎo)電膜層為100～200nm厚度的鋁摻雜氧化鋅薄膜、鎵摻雜氧化鋅薄膜、銦鎵摻雜氧化鋅薄膜或硼摻雜氧化鋅薄膜。
進(jìn)一步的，步驟S1預(yù)制導(dǎo)電層為鋁膜時(shí), 使用原子層沉積設(shè)備，采用99.7%的三甲基鋁作為Al源,以99.999%的N2作為載氣,設(shè)備腔體內(nèi)的壓力保持在10～25Pa,沉積溫度50～100℃，ALD 的一個(gè)循環(huán)周期依次為0.01～0.03s的 TMAl脈沖,15～35s的吹掃、0.01～0.03s的TMAl脈沖以及15～35s的吹掃，共進(jìn)行20～90個(gè)循環(huán)周期。
進(jìn)一步的，步驟S2第一透明導(dǎo)電膜層為鎵摻雜氧化鋅薄膜時(shí)，使用原子層沉積設(shè)備，采用99.7%的二乙基鋅為Zn源，99.7%三甲基鎵作為Ga源,以99.999%的N2作為載氣,采用去離子水作為O源,設(shè)備腔體內(nèi)的壓力保持在10～25Pa，沉積溫度為50～100℃；
一個(gè)ZnO的ALD循環(huán)周期依次為0.01～0.04s的DEZn脈沖、15～35s的吹掃、0.01～0.03s的H2O脈沖以及15～35s的吹掃；
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