[發明專利]一種柔性可彎曲電子信息玻璃的制備方法

有效

• 申請號: 201811441772.3
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109448922B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 彭壽;馬立云;姚婷婷;李剛;沈洪雪;金克武;王天齊;彭塞奧;楊揚;湯永康;甘治平
• 申請（專利權）人: 中建材蚌埠玻璃工業設計研究院有限公司
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;H01B5/14;H01B12/06
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標事務所(普通合伙) 34113
• 代理人: 陳俊

1.一種柔性可彎曲電子信息玻璃的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、采用經過羥基化處理的柔性基底，利用磁控濺射或原子層沉積工藝在柔性基底表面制備預制導電層，預制導電層為5～15nm厚度的鋁膜、銀膜、金膜、銅膜或鈦膜；

S2、采用磁控濺射或原子層沉積工藝在預制導電層表面制備第一透明導電膜層，第一透明導電膜層為200～300nm厚度的鋁摻雜氧化鋅薄膜、鎵摻雜氧化鋅薄膜、銦鎵摻雜氧化鋅薄膜或硼摻雜氧化鋅薄膜；

S3、在第一透明導電膜層表面制備高透減反層，高透減反層為采用垂直浸漬、線棒刮涂、旋涂或提拉工藝制備的單分散SiO₂小球薄膜；

S4、利用磁控濺射或原子層沉積工藝在高透減反層表面制備超導層，超導層為15～25nm厚度的鋁膜、銅膜或鈦膜；

S5、采用磁控濺射或原子層沉積工藝在超導層表面制備第二透明導電膜層，得到所述柔性可彎曲電子信息玻璃；第二透明導電膜層為100～200nm厚度的鋁摻雜氧化鋅薄膜、加鎵摻雜氧化鋅薄膜、銦鎵摻雜氧化鋅薄膜或硼摻雜氧化鋅薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種柔性可彎曲電子信息玻璃的制備方法，其特征在于，步驟S1預制導電層為鋁膜時, 使用原子層沉積設備，采用99.7%的三甲基鋁作為Al源,以99.999%的N₂作為載氣,設備腔體內的壓力保持在10～25Pa,沉積溫度50～100℃，ALD 的一個循環周期依次為0.01～0.03s的 TMAl脈沖,15～35s的吹掃、0.01～0.03s的TMAl脈沖以及15～35s的吹掃，共進行20～90個循環周期。

3.根據權利要求1所述的一種柔性可彎曲電子信息玻璃的制備方法，其特征在于，步驟S2第一透明導電膜層為鎵摻雜氧化鋅薄膜時，使用原子層沉積設備，采用99.7%的二乙基鋅為Zn源，99.7%三甲基鎵作為Ga源,以99.999%的N₂作為載氣,采用去離子水作為O源,設備腔體內的壓力保持在10～25Pa，沉積溫度為50～100℃；

一個ZnO的ALD循環周期依次為0.01～0.04s的DEZn脈沖、15～35s的吹掃、0.01～0.03s的H₂O脈沖以及15～35s的吹掃；

一個Ga的 ALD 循環周期依次為0.01～0.03s的 DEZn脈沖、15～35s的吹掃、0.01～0.03s的TMGa 脈沖、15～35s的吹掃、0.01～0.03s的H₂O脈沖以及15～35s的吹掃，鎵鋅循環比為1:32循環，共進行1300～2000個循環周期。

4.根據權利要求1所述的一種柔性可彎曲電子信息玻璃的制備方法，其特征在于，步驟S3的SiO₂小球粒徑為100～300nm。

5.根據權利要求1所述的一種柔性可彎曲電子信息玻璃的制備方法，其特征在于，步驟S4超導層為鋁膜時, 使用原子層沉積設備，采用99.7%的三甲基鋁作為Al源，以99.999%的N₂作為載氣，設備腔體內的壓力保持在10～25Pa，沉積溫度為50～100℃，一個 Al的 ALD循環周期依次為0.01～0.03s的 TMAl脈沖、15～35s的吹掃、0.01～0.03s的TMAl脈沖以及15～35s的吹掃，共進行60～170個循環周期。