[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201811441585.5
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN110739024B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 李政桓
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

本發明提供一種半導體器件，其包括軟修復控制電路，配置為響應于軟修復控制信號來生成使能信號，其中，當在刷新操作中計數的第一和第二內部地址具有與第一和第二故障地址相同的組合時，使能信號被使能，并且半導體器件還包括核心電路，核心電路包括第一、第二、第三和第四區域，每個區域包括多個字線，所述多個字線基于第一、第二、第三和第四內部地址的組合被激活，其中，核心電路配置為響應于使能信號來修復字線，所述字線中已經發生故障、并且所述字線被包括在第一、第二、第三和第四區域之中的通過第三和第四內部地址而選擇的區域中。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年7月18日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請號10-2018-0083292的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本公開的實施例涉及在刷新操作期間執行修復操作的半導體器件。

背景技術

在半導體器件中，DRAM(動態隨機存取存儲器)具有這樣的特性，即，儲存在其存儲單元中的信息隨著時間流逝而消失，這與SRAM(靜態隨機存取存儲器)或快閃存儲器不同。為了防止這種現象，以預定周期執行從外部重新寫入儲存在存儲單元中的信息的操作。這種操作稱為刷新。以這種方式進行刷新，以在存儲單元的保持時間內至少激活每個字線一次等等，并且感測和放大數據。保持時間是指在數據寫入存儲單元之后，數據可以保持在存儲單元中而不用刷新的時間。

在半導體器件作為產品發行之前，就半導體器件的操作中是否存在問題來測試半導體器件。能夠正常操作的半導體器件作為產品發行。這種測試支持對發生少量數據故障的半導體器件的修復。修復是通過一系列操作來執行的，所述操作是利用冗余字線來替換與已經發生故障的存儲單元耦接的字線。

發明內容

根據本文的教導，一種半導體器件可以包括軟修復控制電路，其配置為響應于軟修復控制信號來生成使能信號，其中，當在刷新操作中計數的第一和第二內部地址具有與第一和第二故障地址相同的組合時，使能信號被使能，并且半導體器件還包括核心電路，核心電路包括第一、第二、第三和第四區域，每個區域包括多個字線，所述多個字線基于第一、第二、第三和第四內部地址的組合被激活，其中，核心電路配置為：響應于使能信號來修復字線，所述字線中已經發生故障、并且所述字線被包括在第一、第二、第三和第四區域之中的通過第三和第四內部地址而選擇的區域中。

另外，根據本文的教導，一種半導體器件可以包括第一、第二、第三和第四區域，每個區域包括多個字線和多個冗余字線，其中，響應于使能信號，在刷新操作中根據第一、第二、第三和第四內部地址而選擇性地激活第一、第二、第三和第四區域中的至少一個，并且其中，對字線進行修復，所述字線中已經發生故障、并且所述字線被包括在第一、第二、第三和第四區域之中的根據第一、第二、第三和第四內部地址而被激活的區域中。

另外，根據本文的教導，一種半導體器件可以在刷新操作期間的軟修復操作中儲存內部地址，所述內部地址包括與在核心電路中包括的多個區域之中選擇的區域有關的信息，并且對于一個實施例，半導體器件可以僅在由儲存的內部地址而選擇性地激活的區域中執行修復操作，從而通過故障地址防止重復的修復操作。

附圖說明

圖1示出了圖示根據實施例的半導體器件的配置的框圖。

圖2示出了圖示圖1所示的半導體器件中包括的軟修復控制電路的配置的電路圖。

圖3示出了圖示圖1所示的半導體器件中包括的核心電路的配置的框圖。

圖4示出了根據實施例的幫助解釋根據內部地址的組合而選擇的區域的表。

圖5示出了圖示圖3所示的第一區域中包括的第一檢測電路的配置的表示的圖。

圖6示出了圖示圖5所示的第一檢測電路中包括的第一檢測信號發生電路的配置的電路圖。