[發明專利]內埋電阻結構及其制作方法在審
| 申請號: | 201811436350.7 | 申請日: | 2018-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN111246663A | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發明(設計)人: | 胡先欽;沈芾云;何明展;徐筱婷 | 申請(專利權)人: | 慶鼎精密電子(淮安)有限公司;鵬鼎控股(深圳)股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K1/16 | 分類號: | H05K1/16;H05K3/06 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 習冬梅;薛曉偉 |
| 地址: | 223065 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電阻 結構 及其 制作方法 | ||
一種內埋電阻結構的制作方法,包括步驟:提供一基材層;通過化學鍍方式在所述基材層的上形成一電阻材料層;在所述電阻材料層的遠離所述基材層的表面上形成一鍍銅層,得到一內埋電阻結構中間體;所述鍍銅層包括一第一導電線路及一第二導電線路,所述電阻材料層從所述第一導電線路及第二導電線路之間裸露出來;在所述鍍銅層上形成一防鍍膜層,所述防鍍膜層覆蓋所述第一導電線路與第二導電線路之間的電阻材料層;及通過化學試劑蝕刻掉未被覆蓋的所述電阻材料層,并移除所述防鍍膜層。本發明還涉及一種內埋電阻結構。
技術領域
本發明涉及一種印刷電路板技術,尤其涉及一種內埋電阻結構及其制作方法。
背景技術
隨著電子產品向輕、薄、短、小以及多功能、模塊化、集成化方向的發展,作為安裝元器件的印制電路板(PCB)也要求線路更精細、更密集,同時也要求能給主動芯片預留更多的貼裝空間,內埋無源器件技術應運而生,如內埋電容、內埋電阻和內埋電感技術逐漸成為PCB 發展的一種必然趨勢。
內埋電阻技術是內埋無源器件工藝中的一種,即指將傳統的需要安裝在PCB板表面的電阻被全部或部分埋入PCB板內部,這給主動芯片預留了更多的貼裝空間。
目前,業界常采用薄膜技術制作內埋電阻。所謂薄膜技術就是使用一種含有電阻層與銅箔組成的特殊電阻銅箔來代替普通銅箔進行層壓,將電阻層材料壓合在介質材料和銅箔之間,然后通過相關的電阻制作流程,形成有內埋電阻的印制電路板。此種方法需要經過多次蝕刻,從而導致電阻的制作流程較多,電阻線形難以掌控。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種制作流程少、能夠控制電阻線形的內埋電阻及其制作方法。
一種內埋電阻結構的制作方法,包括步驟:提供一基材層;通過化學鍍方式在所述基材層的上形成一電阻材料層;在所述電阻材料層的遠離所述基材層的表面上形成一鍍銅層,得到一內埋電阻結構中間體;所述鍍銅層包括一第一導電線路及一第二導電線路,所述電阻材料層從所述第一導電線路及第二導電線路之間裸露出來;在所述鍍銅層上形成一防鍍膜層,所述防鍍膜層覆蓋所述第一導電線路與第二導電線路之間的電阻材料層;及通過化學試劑蝕刻掉未被覆蓋的所述電阻材料層,并移除所述防鍍膜層。
進一步地,形成所述電阻材料層的化學鍍溶液包括硫酸鎳、次磷酸鈉及聚四氟乙烯,在所述化學鍍溶液中,所述硫酸鎳的質量濃度為: 15~30g/L,所述次磷酸鈉的質量濃度為:10~25g/L,所述聚四氟乙烯的體積比濃度是:5~17.5ml/L。
進一步地,所述化學鍍溶液還包括檸檬酸鈉、乙酸鈉及氟碳型界面活性劑,在所述化學鍍溶液中,所述檸檬酸鈉的質量濃度為: 10~30g/L,所述乙酸鈉的質量濃度為:0~20g/L,所述氟碳型界面活性劑的質量濃度為:0.5~2.5g/L。
進一步地,所述化學鍍溶液的溫度為75~85攝氏度。
進一步地,所述化學鍍溶液的pH值為4.5~5.5。
進一步地,所述電阻材料層的厚度為70nm~100nm。
進一步地,形成所述內埋電阻結構中間體包括步驟:在所述電阻材料層的遠離所述基材層的表面上形成一干膜層,所述干膜層包括一第一開口及一與所述第一開口相鄰的第二開口,部分所述電阻材料層從所述第一開口及第二開口中裸露出來;通過電鍍方式在所述干膜層的所述第一開口及第二開口內形成一鍍銅層,所述鍍銅層包括一第一導電線路及一與所述第一導電線路相鄰的第二導電線路,所述第一導電線路形成在所述第一開口內,所述第二導電線路形成在所述第二開口內;及移除所述干膜層。
進一步地,所述防鍍膜層還覆蓋所述第一導電線路及第二導電線路。
進一步地,所述化學試劑為除鎳藥水。
一種內埋電阻結構,所述內埋電阻結構采用如上所述的內埋電阻結構的制作方法制作而成。
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