[發明專利]內埋電阻結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201811436350.7
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN111246663A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 胡先欽;沈芾云;何明展;徐筱婷
• 申請（專利權）人: 慶鼎精密電子（淮安）有限公司;鵬鼎控股（深圳）股份有限公司
• 主分類號: H05K1/16
• 分類號: H05K1/16;H05K3/06
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 習冬梅;薛曉偉

1.一種內埋電阻結構的制作方法，包括步驟：

提供一基材層；

通過化學鍍方式在所述基材層的上形成一電阻材料層；

在所述電阻材料層的遠離所述基材層的表面上形成一鍍銅層，得到一內埋電阻結構中間體；所述鍍銅層包括一第一導電線路及一第二導電線路，所述電阻材料層從所述第一導電線路及第二導電線路之間裸露出來；

在所述鍍銅層上形成一防鍍膜層，所述防鍍膜層覆蓋所述第一導電線路與第二導電線路之間的電阻材料層；及

通過化學試劑蝕刻掉未被覆蓋的所述電阻材料層，并移除所述防鍍膜層。

2.如權利要求1所述的內埋電阻結構的制作方法，其特征在于，形成所述電阻材料層的化學鍍溶液包括硫酸鎳、次磷酸鈉及聚四氟乙烯，在所述化學鍍溶液中，所述硫酸鎳的質量濃度為：15～30g/L，所述次磷酸鈉的質量濃度為：10～25g/L，所述聚四氟乙烯的體積比濃度是：5～17.5ml/L。

3.如權利要求2所述的內埋電阻結構的制作方法，其特征在于，所述化學鍍溶液還包括檸檬酸鈉、乙酸鈉及氟碳型界面活性劑，在所述化學鍍溶液中，所述檸檬酸鈉的質量濃度為：10～30g/L，所述乙酸鈉的質量濃度為：0～20g/L，所述氟碳型界面活性劑的質量濃度為：0.5～2.5g/L。

4.如權利要求2所述的內埋電阻結構的制作方法，其特征在于，所述化學鍍溶液的溫度為75～85攝氏度。

5.如權利要求2所述的內埋電阻結構的制作方法，其特征在于，所述化學鍍溶液的pH值為4.5～5.5。

6.如權利要求1所述的內埋電阻結構的制作方法，其特征在于，所述電阻材料層的厚度為85±15nm。

7.如權利要求1所述的內埋電阻結構的制作方法，其特征在于，形成所述內埋電阻結構中間體包括步驟：

在所述電阻材料層的遠離所述基材層的表面上形成一干膜層，所述干膜層包括一第一開口及一與所述第一開口相鄰的第二開口，部分所述電阻材料層從所述第一開口及第二開口中裸露出來；

通過電鍍方式在所述干膜層的所述第一開口及第二開口內形成一鍍銅層，所述鍍銅層包括一第一導電線路及一與所述第一導電線路相鄰的第二導電線路，所述第一導電線路形成在所述第一開口內，所述第二導電線路形成在所述第二開口內；及

移除所述干膜層。

8.如權利要求1所述的內埋電阻結構的制作方法，其特征在于，所述防鍍膜層還覆蓋所述第一導電線路及第二導電線路。

9.如權利要求1所述的內埋電阻結構的制作方法，其特征在于，所述化學試劑為除鎳藥水。

10.一種內埋電阻結構，所述內埋電阻結構采用如權利要求1-9任一項所述的內埋電阻結構的制作方法制作而成，所述電阻材料層的厚度為85±15nm。