[發(fā)明專利]內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811436350.7
• 申請(qǐng)日: 2018-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN111246663A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡先欽;沈芾云;何明展;徐筱婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 慶鼎精密電子（淮安）有限公司;鵬鼎控股（深圳）股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K1/16
• 分類號(hào): H05K1/16;H05K3/06
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 習(xí)冬梅;薛曉偉

1.一種內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)的制作方法，包括步驟：

提供一基材層；

通過化學(xué)鍍方式在所述基材層的上形成一電阻材料層；

在所述電阻材料層的遠(yuǎn)離所述基材層的表面上形成一鍍銅層，得到一內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)中間體；所述鍍銅層包括一第一導(dǎo)電線路及一第二導(dǎo)電線路，所述電阻材料層從所述第一導(dǎo)電線路及第二導(dǎo)電線路之間裸露出來；

在所述鍍銅層上形成一防鍍膜層，所述防鍍膜層覆蓋所述第一導(dǎo)電線路與第二導(dǎo)電線路之間的電阻材料層；及

通過化學(xué)試劑蝕刻掉未被覆蓋的所述電阻材料層，并移除所述防鍍膜層。

2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述電阻材料層的化學(xué)鍍?nèi)芤喊蛩徭嚒⒋瘟姿徕c及聚四氟乙烯，在所述化學(xué)鍍?nèi)芤褐校隽蛩徭嚨馁|(zhì)量濃度為：15～30g/L，所述次磷酸鈉的質(zhì)量濃度為：10～25g/L，所述聚四氟乙烯的體積比濃度是：5～17.5ml/L。

3.如權(quán)利要求2所述的內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述化學(xué)鍍?nèi)芤哼€包括檸檬酸鈉、乙酸鈉及氟碳型界面活性劑，在所述化學(xué)鍍?nèi)芤褐校鰴幟仕徕c的質(zhì)量濃度為：10～30g/L，所述乙酸鈉的質(zhì)量濃度為：0～20g/L，所述氟碳型界面活性劑的質(zhì)量濃度為：0.5～2.5g/L。

4.如權(quán)利要求2所述的內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述化學(xué)鍍?nèi)芤旱臏囟葹?5～85攝氏度。

5.如權(quán)利要求2所述的內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述化學(xué)鍍?nèi)芤旱膒H值為4.5～5.5。

6.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述電阻材料層的厚度為85±15nm。

7.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)中間體包括步驟：

在所述電阻材料層的遠(yuǎn)離所述基材層的表面上形成一干膜層，所述干膜層包括一第一開口及一與所述第一開口相鄰的第二開口，部分所述電阻材料層從所述第一開口及第二開口中裸露出來；

通過電鍍方式在所述干膜層的所述第一開口及第二開口內(nèi)形成一鍍銅層，所述鍍銅層包括一第一導(dǎo)電線路及一與所述第一導(dǎo)電線路相鄰的第二導(dǎo)電線路，所述第一導(dǎo)電線路形成在所述第一開口內(nèi)，所述第二導(dǎo)電線路形成在所述第二開口內(nèi)；及

移除所述干膜層。

8.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述防鍍膜層還覆蓋所述第一導(dǎo)電線路及第二導(dǎo)電線路。

9.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述化學(xué)試劑為除鎳藥水。

10.一種內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)，所述內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)采用如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的內(nèi)埋電阻結(jié)構(gòu)的制作方法制作而成，所述電阻材料層的厚度為85±15nm。