[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811434042.0
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN109994452B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張宇行;徐晨佑;劉世昌
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 龔詩靖

本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體裝置及其形成方法。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，一種半導(dǎo)體裝置包含電容裝置、第一導(dǎo)電通孔及第二導(dǎo)電通孔。所述電容裝置包含第一導(dǎo)電板、第一絕緣板、第二導(dǎo)電板、第二絕緣板及第三導(dǎo)電板。所述第一導(dǎo)電通孔電耦合到所述第一導(dǎo)電板及所述第三導(dǎo)電板，且所述第一導(dǎo)電通孔穿透具有第一厚度的第一薄膜堆疊。所述第二導(dǎo)電通孔電耦合到所述第二導(dǎo)電板，且所述第二導(dǎo)電通孔穿透具有第二厚度的第二薄膜堆疊。所述第二厚度大體上等于所述第一厚度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體裝置及其形成方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體行業(yè)通過最小特征大小上的連續(xù)減小而繼續(xù)改進各種電子組件(例如，電容器)的集成密度，這一舉動允許更多組件集成到給定區(qū)域中。在一些應(yīng)用中，這些較小電子組件還要求相較于過去封裝利用較小區(qū)域的較小封裝。

一種類型的電容器為三板金屬-絕緣體-金屬(TP-MIM)電容器。三板金屬-絕緣體-金屬電容器可被用作去耦電容器。三板金屬-絕緣體-金屬電容器水平地形成于半導(dǎo)體晶片上，其中三個金屬板包夾平行于晶片表面的兩個介電層。然而，可存在關(guān)于三板金屬-絕緣體-金屬電容器的許多挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一實施例涉及一種半導(dǎo)體裝置，其包括：電容裝置，其包括：第一導(dǎo)電板；第一絕緣板，其放置于所述第一導(dǎo)電板上；第二導(dǎo)電板，其放置于所述第一絕緣板上；第二絕緣板，其放置于所述第二導(dǎo)電板上；及第三導(dǎo)電板，其放置于所述第二絕緣板上；第一導(dǎo)電通孔，所述第一導(dǎo)電通孔電耦合到所述第一導(dǎo)電板及所述第三導(dǎo)電板，且所述第一導(dǎo)電通孔穿透具有第一厚度的第一薄膜堆疊；及第二導(dǎo)電通孔，所述第二導(dǎo)電通孔電耦合到所述第二導(dǎo)電板，且所述第二導(dǎo)電通孔穿透具有第二厚度的第二薄膜堆疊；其中所述第二厚度大體上等于所述第一厚度。

本發(fā)明的一實施例涉及一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：沉積第一導(dǎo)電板；在所述第一導(dǎo)電板上沉積第一絕緣板；在所述第一絕緣板上沉積第二導(dǎo)電板；在所述第二導(dǎo)電板上沉積第二絕緣板；在所述第二絕緣板上沉積第三導(dǎo)電板；在所述第二絕緣板上沉積第四導(dǎo)電板；形成穿透所述第三導(dǎo)電板、所述第二絕緣板、所述第一絕緣板及所述第一導(dǎo)電板的第一導(dǎo)電通孔，其中所述第一導(dǎo)電通孔電耦合到所述第三導(dǎo)電板及所述第一導(dǎo)電板；及形成穿透所述第四導(dǎo)電板、所述第二絕緣板、所述第二導(dǎo)電板及所述第一絕緣板的第二導(dǎo)電通孔，其中所述第二導(dǎo)電通孔電耦合到所述第四導(dǎo)電板及所述第二導(dǎo)電板。

本發(fā)明的一實施例涉及一種形成半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：沉積第一導(dǎo)電板及第二導(dǎo)電板；在所述第一導(dǎo)電板及所述第二導(dǎo)電板上沉積第一絕緣板；在所述第一絕緣板上沉積第三導(dǎo)電板；在所述第三導(dǎo)電板上沉積第二絕緣板；在所述第二絕緣板上沉積第四導(dǎo)電板；形成穿透所述第四導(dǎo)電板、所述第二絕緣板、所述第一絕緣板及所述第一導(dǎo)電板的第一導(dǎo)電通孔，其中所述第一導(dǎo)電通孔電耦合到所述第四導(dǎo)電板及所述第一導(dǎo)電板；及形成穿透所述第二絕緣板、所述第三導(dǎo)電板、所述第一絕緣板及所述第二導(dǎo)電板的第二導(dǎo)電通孔，其中所述第二導(dǎo)電通孔電耦合到所述第三導(dǎo)電板及所述第二導(dǎo)電板。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時，從以下詳細描述最好地理解本公開內(nèi)容的方面。應(yīng)注意，根據(jù)業(yè)界中的標(biāo)準(zhǔn)慣例，各種特征未按比例繪制。實際上，可出于論述清楚起見而任意地增大或減小各種特征的尺寸。

圖1為根據(jù)一些實施例的說明半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖2為根據(jù)一些實施例的說明半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖3為根據(jù)一些實施例的說明半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖4為根據(jù)一些實施例的說明半導(dǎo)體裝置封裝的橫截面圖。

圖5為根據(jù)一些實施例的說明半導(dǎo)體裝置的橫截面圖。

圖6為根據(jù)一些實施例的說明制造圖2的半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。