[發明專利]半導體裝置及其形成方法

有效

• 申請號: 201811434042.0
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN109994452B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 張宇行;徐晨佑;劉世昌
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 龔詩靖

1.一種半導體裝置，其包括：

電容裝置，其包括：

第一導電板；

第一絕緣板，其放置于所述第一導電板上；

第二導電板，其放置于所述第一絕緣板上；

第二絕緣板，其放置于所述第二導電板上；及

第三導電板，其放置于所述第二絕緣板上；

第一導電通孔，所述第一導電通孔電耦合到所述第一導電板及所述第三導電板，且所述第一導電通孔穿透具有第一厚度的第一薄膜堆疊；及

第二導電通孔，所述第二導電通孔電耦合到所述第二導電板，且所述第二導電通孔穿透具有第二厚度的第二薄膜堆疊；

其中所述第二厚度大體上等于所述第一厚度，

其中所述第二薄膜堆疊包括：

第三絕緣板；

第四導電板，其放置于所述第三絕緣板上且電耦合到所述第二導電板；

第四絕緣板，其放置于所述第四導電板上；

第五導電板，其放置于所述第四絕緣板上；且

其中所述第二導電通孔電耦合到所述第四導電板及所述第五導電板。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第二導電板及所述第四導電板包含相同材料。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其進一步包括：

第三導電通孔，其穿透具有第三厚度的第三薄膜堆疊；

其中所述第三厚度大體上等于所述第一厚度。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述第三薄膜堆疊包括：

第五絕緣板；

第六導電板，其放置于所述第五絕緣板上；

第六絕緣板，其放置于所述第六導電板上；

第七導電板，其放置于所述第六絕緣板上；且

其中所述第三導電通孔電耦合到所述第六導電板及所述第七導電板。

5.一種半導體裝置，其包括：

電容裝置，其包括：

第一導電板；

第一絕緣板，其放置于所述第一導電板上；

第二導電板，其放置于所述第一絕緣板上；

第二絕緣板，其放置于所述第二導電板上；及

第三導電板，其放置于所述第二絕緣板上；

第一導電通孔，所述第一導電通孔電耦合到所述第一導電板及所述第三導電板，且所述第一導電通孔穿透具有第一厚度的第一薄膜堆疊；及

第二導電通孔，所述第二導電通孔電耦合到所述第二導電板，且所述第二導電通孔穿透具有第二厚度的第二薄膜堆疊；

其中所述第二厚度大體上等于所述第一厚度，

其中所述第二薄膜堆疊包括：

第四導電板；

第四絕緣板，其放置于所述第四導電板上；

第五導電板，其放置于所述第四絕緣板上且電耦合到所述第二導電板；

第五絕緣板，其放置于所述第五導電板上；及

第六導電板，其放置于所述第五絕緣板上；

其中所述第二導電通孔電耦合到所述第四導電板及所述第五導電板，且所述第二導電通孔從所述第六導電板斷開電連接。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其進一步包括：

第三導電通孔，其穿透具有第三厚度的第三薄膜堆疊；

其中所述第三厚度大體上等于所述第一厚度。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述第三薄膜堆疊包括：

第六絕緣板；

第七導電板，其放置于所述第六絕緣板上；

第七絕緣板，其放置于所述第七導電板上；

第八導電板，其放置于所述第七絕緣板上；且

其中所述第三導電通孔電耦合到所述第七導電板及所述第八導電板。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述第三薄膜堆疊包括：

第七導電板；

第七絕緣板，其放置于所述第七導電板上；

第八導電板，其放置于所述第七絕緣板上；及

第八絕緣板，其放置于所述第八導電板上；

其中所述第三導電通孔電耦合到所述第七導電板及所述第八導電板。