[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811432703.6
• 申請(qǐng)日: 2018-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN111244297B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程陸玲;楊一行
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發(fā)明公開一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法，其中，所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管包括電子傳輸層，所述電子傳輸層材料為由復(fù)合材料和納米金屬氧化物組成的混合材料，所述復(fù)合材料包括PAMAM樹形分子以及結(jié)合在所述PAMAM樹形分子腔體內(nèi)的金屬原子簇。由于PAMAM樹形分子既是σ給予體又是π給予體，這使得PAMAM樹形分子與金屬原子簇之間能夠產(chǎn)生電荷轉(zhuǎn)移，同時(shí)由于復(fù)合材料中的金屬原子簇的電子遷移率高于納米金屬氧化物，因此本發(fā)明利用由復(fù)合材料與納米金屬氧化物組成的混合材料作為電子傳輸層材料，可增強(qiáng)量子點(diǎn)發(fā)光二極管的電子遷移率，從而使量子點(diǎn)發(fā)光二極管的電子空穴注入速率達(dá)到平衡，進(jìn)而提高量子點(diǎn)發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及量子點(diǎn)發(fā)光二極管領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)發(fā)光二極管是未來重要的新型顯示技術(shù)，量子點(diǎn)顯示技術(shù)的商業(yè)化仍然存在很多技術(shù)問題，比如器件效率不穩(wěn)定，壽命不好等，影響這些器件的主要因素是器件的電荷注入不平衡所導(dǎo)致。

比如同一種器件結(jié)構(gòu)下利用不同結(jié)構(gòu)體系的量子點(diǎn)制備發(fā)光二級(jí)管（QLED）時(shí)，器件效率和壽命都會(huì)不一樣，其原因是不同結(jié)構(gòu)體系的量子點(diǎn)對(duì)電子空穴注入平衡的需求不同，因此需要對(duì)器件的電荷注入平衡做調(diào)整和優(yōu)化。

再比如同一種結(jié)構(gòu)體系的量子點(diǎn)利用不同的器件結(jié)構(gòu)制備量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）時(shí)，因不同器件結(jié)構(gòu)造成的器件效率和壽命不同，其原因是不同的器件結(jié)構(gòu)造成的電子空穴注入平衡不一致，因此針對(duì)不同的器件結(jié)構(gòu)也需要對(duì)電荷注入平衡做調(diào)整和優(yōu)化。

針對(duì)同一種器件結(jié)構(gòu)下不同結(jié)構(gòu)體系的量子點(diǎn)和同一種結(jié)構(gòu)體系的量子點(diǎn)不同的器件結(jié)構(gòu)所存在的電荷注入不平衡的問題，相應(yīng)的技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有量子點(diǎn)發(fā)光二極管的電荷注入不平衡，導(dǎo)致其發(fā)光效率較低的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括陰極、陽極以及設(shè)置在所述陰極和陽極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層，所述陰極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間還設(shè)置有電子傳輸層，其中，所述電子傳輸層材料為由復(fù)合材料和納米金屬氧化物組成的混合材料，所述復(fù)合材料包括PAMAM樹形分子以及結(jié)合在所述PAMAM樹形分子腔體內(nèi)的金屬原子簇。

一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其中，包括步驟：

提供一陽極基板，在所述陽極基板上制備量子點(diǎn)發(fā)光層，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上制備電子傳輸層，在所述電子傳輸層上制備陰極，制得所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管；

或者，提供一陰極基板，在所述陰極基板上制備電子傳輸層，在所述電子傳輸層上制備量子點(diǎn)發(fā)光層，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上制備陽極，制得所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管；

其中，所述電子傳輸層材料為由復(fù)合材料和納米金屬氧化物組成的混合材料，所述復(fù)合材料包括PAMAM樹形分子以及結(jié)合在所述PAMAM樹形分子腔體內(nèi)的金屬原子簇。

有益效果：本發(fā)明提供的量子點(diǎn)發(fā)光二極管包括電子傳輸層，所述電子傳輸層材料為由復(fù)合材料和納米金屬氧化物組成的混合材料，所述復(fù)合材料包括PAMAM樹形分子以及結(jié)合在所述PAMAM樹形分子腔體內(nèi)的金屬原子簇。由于PAMAM樹形分子既是σ給予體又是π給予體，這使得PAMAM樹形分子與金屬原子簇之間能夠產(chǎn)生電荷轉(zhuǎn)移，同時(shí)由于復(fù)合材料中的金屬原子簇的電子遷移率高于納米金屬氧化物，因此本發(fā)明利用由復(fù)合材料與納米金屬氧化物組成的混合材料作為電子傳輸層材料，可增強(qiáng)量子點(diǎn)發(fā)光二極管的電子遷移率，從而使量子點(diǎn)發(fā)光二極管的電子空穴注入速率達(dá)到平衡，進(jìn)而提高量子點(diǎn)發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。