[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811432703.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-11-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111244297B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 程陸玲;楊一行 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L51/50 | 分類號(hào)： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 量子 發(fā)光二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括陰極、陽(yáng)極以及設(shè)置在所述陰極和陽(yáng)極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層，所述陰極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間還設(shè)置有電子傳輸層，其特征在于，所述電子傳輸層材料為由復(fù)合材料和納米金屬氧化物組成的混合材料，所述混合材料中復(fù)合材料與納米金屬氧化物的質(zhì)量比為100：50-800，所述復(fù)合材料包括PAMAM樹(shù)形分子以及結(jié)合在所述PAMAM樹(shù)形分子腔體內(nèi)的金屬原子簇，所述金屬原子簇的電子遷移率高于所述納米金屬氧化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述PAMAM樹(shù)形分子選自第五代至第十代PAMAM樹(shù)形分子中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述PAMAM樹(shù)形分子選自第五代和第六代PAMAM樹(shù)形分子中的一種或兩種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述金屬原子簇的元素種類選自Au、Ag、Cu、Fe、Ni、Zn和Mo中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述納米金屬氧化物選自ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一種或多種。
6.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供一陽(yáng)極基板，在所述陽(yáng)極基板上制備量子點(diǎn)發(fā)光層，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上制備電子傳輸層，在所述電子傳輸層上制備陰極，制得所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管；
或者，提供一陰極基板，在所述陰極基板上制備電子傳輸層，在所述電子傳輸層上制備量子點(diǎn)發(fā)光層，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上制備陽(yáng)極，制得所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管；
其中，所述電子傳輸層材料為由復(fù)合材料和納米金屬氧化物組成的混合材料，所述混合材料中復(fù)合材料與納米金屬氧化物的質(zhì)量比為100：50-800，所述復(fù)合材料包括PAMAM樹(shù)形分子以及結(jié)合在所述PAMAM樹(shù)形分子腔體內(nèi)的金屬原子簇，所述金屬原子簇的電子遷移率高于所述納米金屬氧化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述混合材料的制備方法包括步驟：
提供一種復(fù)合材料，所述復(fù)合材料包括PAMAM樹(shù)形分子以及結(jié)合在所述PAMAM樹(shù)形分子腔體內(nèi)的金屬原子簇；
將所述復(fù)合材料與納米金屬氧化物按照質(zhì)量比為100：50-800的比例加入到極性溶劑中混合，制得膠體溶液，對(duì)所述膠體溶液進(jìn)行干燥處理制得所述混合材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述膠體溶液中，復(fù)合材料的濃度為10-60mg/ml，納米金屬氧化物的濃度為20-80mg/ml。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上制備電子傳輸層的步驟包括：在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積所述膠體溶液，并進(jìn)行退火處理，形成電子傳輸層；
或者，在所述陰極基板上制備電子傳輸層的步驟包括：在所述陰極基板上沉積所述膠體溶液，并進(jìn)行退火處理，形成電子傳輸層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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