[發明專利]一種低衰減和低彎曲損耗的大有效面積單模光纖有效
| 申請號: | 201811432609.0 | 申請日: | 2018-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN109298482B | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發明(設計)人: | 吳超;張磊;羅杰;吳俊;朱繼紅;姚釗 | 申請(專利權)人: | 長飛光纖光纜股份有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/02 | 分類號: | G02B6/02;G02B6/036 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 胡建平 |
| 地址: | 430073 湖北省*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 衰減 彎曲 損耗 有效面積 單模 光纖 | ||
本發明涉及一種低衰減和低彎曲損耗的大有效面積單模光纖,包括有芯層和包層,其特征在于所述的芯層直徑r1為5.0~6.5μm,相對折射率差Δn1為0.16~0.32%,芯層外從內向外依次包覆內包層、第一下陷包層、第二下陷包層和外包層,所述的內包層半徑r2為9.0~11.0μm,相對折射率差Δn2為?0.08~0.00%,所述的第一下陷包層半徑r3為12.0~13.0μm,相對折射率差Δn3為?0.42~?0.52%,所述的第二下陷包層半徑r4為13.0~20.0μm,相對折射率差Δn4為?0.08~?0.32%;所述的外包層為純二氧化硅玻璃層。本發明優化了芯包層粘度匹配,光纖能在高速拉絲速度下拉絲而成,實現光纖的低衰減性能,大大的提高了低衰減光纖的生產效率,并有效的改善大有效面積光纖的彎曲性能。
技術領域
本發明涉及到光通信技術領域,具體涉及到一種低衰減和低彎曲損耗的大有效面積單模光纖,可用于長距離,大容量,高速率傳輸系統。
背景技術
大容量、高速率的傳輸系統是長距離通信的發展方向,其對光纖的性能提出了更高的要求,具有低衰減兼有大的有效面積光纖的提出滿足了這一需求,近年來這種光纖在通信領域受到了明顯的關注。在高功率的傳輸系統中,光纖具有大的有效面積能顯著降低非線性效應和提高光信噪比(OSNR),從而提升系統傳輸質量。而限制長距離大容量傳輸的一個重要因素是光纖的衰減,相對于普通的單模光纖,具有較低衰減的光纖將能延長傳輸距離,減少鏈路建設和維護成本。因此,大有效面積兼具低衰減的光纖具有較高的傳輸系統性價比。
獲得大的有效面積,可以通過增加光纖芯層直徑和芯層折射率來實現,而如何降低光纖的衰減是一個重要的問題。降低光纖衰減主要困難在于以下三點:其一,如何降低衰減:目前主要的方法是降低光纖的瑞利散射系數;其二,在獲得超低衰減系數的同時,需要保證光纖各個光學參數滿足ITU-T標準,主要指模場直徑,色散,截止波長和彎曲性能控制在標準要求范圍內:即在保證光纖超低衰減性能的同時,其他光學參數必須控制在相應范圍內;其三,光纖制造工藝簡單可控,不顯著增加光纖制造成本,適合大規模生產。
對于以上三個困難,我們首先從如何降低光纖的衰減來說。對于石英光纖,在600nm-1600nm的衰減主要來自于瑞利散射,由瑞利散射所引起的衰減αR可由下式計算:
式中,λ為波長(μm),R為瑞利散射系數(dB/km/μm4);P為光強;當瑞利散射系數確認時,B為相對應的常數。因而只要確定了瑞利散射系數R就可得到因瑞利散射所引起的衰減αR(dB/km)。瑞利散射一方面是由于密度波動引起的,另一方面是由于濃度波動引起的。因而瑞利散射系數R可表示為:
R=Rd+Rc
上式中,Rd和Rc分別表示由于密度波動和濃度波動所引起的瑞利散射系數變化。其中Rc為濃度波動因子,其主要受到光纖玻璃部分摻雜濃度的影響,理論上采用越少的Ge和F或者其他摻雜,Rc越小,這也是目前國外某些企業采用純硅芯設計,實現超低衰減性能的原因。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長飛光纖光纜股份有限公司,未經長飛光纖光纜股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811432609.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





