[發明專利]一種低衰減和低彎曲損耗的大有效面積單模光纖

有效

• 申請號: 201811432609.0
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN109298482B
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 吳超;張磊;羅杰;吳俊;朱繼紅;姚釗
• 申請（專利權）人: 長飛光纖光纜股份有限公司
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/036
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種低衰減和低彎曲損耗的大有效面積單模光纖，包括有芯層和包層，其特征在于所述的芯層半徑r₁為5.0～6.5μm，相對折射率差Δn₁為0.16～0.32％，芯層外從內向外依次包覆內包層、第一下陷包層、第二下陷包層和外包層，所述的內包層半徑r₂為9.0～11.0μm，相對折射率差Δn₂為-0.08～0.00％，所述的第一下陷包層半徑r₃為12.0～13.0μm，相對折射率差Δn₃為-0.42～-0.52％，所述的第二下陷包層半徑r₄為13.0～20.0μm，相對折射率差Δn₄為-0.08～-0.32％；所述的外包層為純二氧化硅玻璃層；所述的光纖由等于或大于1500m/min的拉絲速度拉絲而成；所述光纖在1550nm波長處的衰減系數小于或等于0.172dB/km。

2.按權利要求1所述的低衰減和低彎曲損耗的大有效面積單模光纖，其特征在于所述的芯層為鍺、氟及堿金屬共摻的二氧化硅玻璃層，堿金屬摻雜量按重量計為500～2000ppm；所述內包層為鍺、氟及堿金屬共摻的二氧化硅玻璃層，堿金屬摻雜量按重量計為50～400ppm。

3.按權利要求1或2所述的低衰減和低彎曲損耗的大有效面積單模光纖，其特征在于所述的芯層相對折射率差Δn₁大于內包層相對折射率差Δn₂，內包層相對折射率差Δn₂大于第二下陷包層相對折射率差Δn₄，所述第二下陷包層的相對折射率差Δn₄大于第一下陷包層相對折射率差Δn₃，即Δn₁＞Δn₂＞Δn₄＞Δn₃。

4.按權利要求1或2所述的低衰減和低彎曲損耗的大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖在1550nm波長處的有效面積為110～140μm²。

5.按權利要求1或2所述的低衰減和低彎曲損耗的大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖的成纜截止波長小于1530nm。

6.按權利要求1或2所述的低衰減和低彎曲損耗的大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖在1550nm波長處的色散系數為17～23ps/(nm·km)；在1550nm波長處的色散斜率為0.050～0.070ps/(nm²·km)。

7.按權利要求1或2所述的低衰減和低彎曲損耗的大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖在彎曲半徑30mm，彎曲圈數100圈的條件下，1550nm波長處的附加損耗小于0.05dB；所述光纖在彎曲半徑15mm，彎曲圈數10圈的條件下，1550nm波長處的附加損耗小于0.25dB；所述光纖在彎曲半徑10mm，彎曲圈數1圈的條件下，1550nm波長處的附加損耗小于0.75dB。

8.按權利要求1或2所述的低衰減和低彎曲損耗的大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖涂有樹脂涂料層，包括有內涂覆層和外涂覆層，所述的內涂覆層直徑為185～205μm，內涂覆層的楊氏模量為0.1～0.4MPa，外涂覆層直徑為235～255μm，外層涂覆的楊氏模量為1000～2000MPa。