[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201811432581.0
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN111244296B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 程陸玲;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開一種量子點發光二極管及其制備方法，其中，所述量子點發光二極管，包括陰極、陽極以及設置在所述陰極和陽極之間的量子點發光層，所述量子點發光層材料為由量子點和油溶性PAMAM樹形分子組成的混合材料，所述量子點的激子波爾半徑大于量子點的直徑。在本發明中，所述量子點發光層中的量子點之間的空間距離會被油溶性PAMAM樹形分子有效的拉開，從而有效地降低了量子點之間的能量轉移，間接地提高了量子點發光層的熒光強度；另外，所述油溶性PAMAM樹形分子可包裹在量子點表面，對激子進行束縛，從而可提高量子點發光層的量子產率，進而提高量子點發光二極管的發光效率。

技術領域

本發明涉及量子點發光二極管領域，尤其涉及一種量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

在量子點發光二極管中，利用激子波爾半徑遠大于顆粒粒徑的量子點作為發光層材料時，制得的器件發光效率較低，其主要原因是因為發光層中的量子點與量子點之間會產生激子能量轉移，從而造成量子產率（QY）較低。

對于以激子波爾半徑遠大于顆粒粒徑的量子點作為量子點發光層材料的量子點發光二極管而言，如何提高量子點發光層的量子產率是提升量子點發光二極管發光效率的關鍵。現有的技術是對該類激子波爾半徑遠大于顆粒粒徑的量子點在外層生長一層寬帶隙殼層，這能夠在一定程度上降低量子點與量子點之間的能量轉移，但不能夠大幅的改善該類量子點固態膜的量子產率，因此現有技術有待改進。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種量子點發光二極管及其制備方法，旨在解決現有量子點材料的量子產率較低，導致量子點發光二極管發光效率較低的問題。

本發明的技術方案如下：

一種量子點發光二極管，包括陰極、陽極以及設置在所述陰極和陽極之間的量子點發光層，其中，所述量子點發光層材料為由量子點和油溶性PAMAM樹形分子組成的混合材料，所述量子點的激子波爾半徑大于量子點的直徑。

一種量子點發光二極管的制備方法，其中，包括步驟：

提供一基板，在所述基板表面制備量子點發光層；

其中，所述量子點發光層材料為由量子點和油溶性PAMAM樹形分子組成的混合材料，所述量子點的激子波爾半徑大于量子點的直徑。

有益效果：本發明采用由量子點和油溶性PAMAM樹形分子組成的混合材料制備量子點發光層，所述量子點發光層中的量子點與量子點之間的空間距離會被油溶性PAMAM樹形分子有效的拉開，從而有效地降低量子點與量子點之間的能量轉移，間接地提高了量子點發光層的熒光強度；另外，當所述混合材料形成量子點發光層后，所述油溶性PAMAM樹形分子可包裹在量子點表面，進一步地對激子進行束縛，從而提高量子點發光層的量子產率，進而提高量子點發光二極管的發光效率。

附圖說明

圖1為本發明一種量子點發光二極管較佳實施例的結構示意圖。

具體實施方式

本發明提供一種量子點發光二極管及其制備方法，為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

量子點發光二極管有多種形式，且所述量子點發光二極管分為正型結構和反型結構，所述反型結構的量子點發光二極管可包括從下往上層疊設置的基板、陰極、電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層以及陽極。而本發明的具體實施方式中將主要以如圖1所示的正型結構的量子點發光二極管為實施例進行介紹。具體地，如圖1所示，所述正型結構的量子點發光二極管包括從下往上層疊設置的基板10、陽極20、空穴傳輸層30、量子點發光層40、電子傳輸層50以及陰極60，其中，所述量子點發光層材料為由量子點和油溶性PAMAM樹形分子組成的混合材料，所述量子點的激子波爾半徑大于量子點的直徑。