[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法有效
| 申請號: | 201811432581.0 | 申請日: | 2018-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN111244296B | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發明(設計)人: | 程陸玲;楊一行 | 申請(專利權)人: | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;劉文求 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 量子 發光二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種量子點發光二極管,包括陰極、陽極以及設置在所述陰極和陽極之間的量子點發光層,其特征在于,所述量子點發光層材料為由量子點和油溶性PAMAM樹形分子組成的混合材料,所述油溶性PAMAM樹形分子為末梢官能團包括磺酰胺基的PAMAM樹形分子,所述磺酰胺基為-NH-R,其中R為未取代的芳基、烷基取代的芳基和烷胺基取代的芳基中的一種或多種,所述PAMAM樹形分子選自第五代至第十代PAMAM樹形分子中的一種或多種,所述量子點的激子波爾半徑大于量子點的直徑。
2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述PAMAM樹形分子選自第六代或第七代PAMAM樹形分子中的一種或多種。
3.根據權利要求1所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述混合材料中,若所述PAMAM樹形分子為第五代PAMAM樹形分子,則所述第五代PAMAM樹形分子的摩爾量與量子點的質量之比為1-5mmol:10mg;
和/或,若所述PAMAM樹形分子為第六代PAMAM樹形分子,則所述第六代PAMAM樹形分子的摩爾量與量子點的質量之比為0.5-4mmol:10mg;
和/或,若所述PAMAM樹形分子為第七代PAMAM樹形分子,則所述第七代PAMAM樹形分子的摩爾量與量子點的質量之比為0.3-3mmol:10mg;
和/或,若所述PAMAM樹形分子為第八代PAMAM樹形分子,則所述第八代PAMAM樹形分子的摩爾量與量子點的質量之比為0.2-2mmol:10mg;
和/或,若所述PAMAM樹形分子為第九代PAMAM樹形分子,則所述第九代PAMAM樹形分子的摩爾量與量子點的質量之比為0.1-1mmol:10mg;
和/或,若所述PAMAM樹形分子為第十代PAMAM樹形分子,則所述第十代PAMAM樹形分子的摩爾量與量子點的質量之比為0.05-0.5mmol:10mg。
4.一種量子點發光二極管的制備方法,其特征在于,包括步驟:
提供一種基板,在所述基板表面制備量子點發光層;
其中,所述量子點發光層材料為由量子點和油溶性PAMAM樹形分子組成的混合材料,所述油溶性PAMAM樹形分子為末梢官能團包括磺酰胺基的PAMAM樹形分子,所述磺酰胺基為-NH-R,其中R為未取代的芳基、烷基取代的芳基和烷胺基取代的芳基中的一種或多種,所述PAMAM樹形分子選自第五代至第十代PAMAM樹形分子中的一種或多種,所述量子點的激子波爾半徑大于量子點的直徑。
5.根據權利要求4所述量子點發光二極管的制備方法,其特征在于,所述油溶性PAMAM樹形分子的制備方法包括步驟:
將PAMAM樹形分子溶解在極性溶劑后加入端基修飾劑,混合使所述PAMAM樹形分子上末梢的胺基官能團全部或部分與端基修飾劑發生反應,得到所述油溶性PAMAM樹形分子。
6.根據權利要求5所述量子點發光二極管的制備方法,其特征在于,所述端基修飾劑選自對甲苯磺酰氯、鄰甲苯磺酰氯、間甲苯磺酰氯、對二甲氨基苯磺酰氯、鄰二甲基苯磺酰氯和間二甲氨基苯磺酰氯中的一種或多種。
7.根據權利要求6所述量子點發光二極管的制備方法,在所述基板表面制備量子點發光層的步驟包括:
采用溶液法在所述基板沉積所述混合材料后退火,制得所述量子點發光層。
8.根據權利要求7所述量子點發光二極管的制備方法,其特征在于,在所述基板表面制備量子點發光層的步驟包括:
采用溶液法在所述基板沉積所述混合材料,在80-150℃條件下退火處理15-60min,制得所述量子點發光層。
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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