[發(fā)明專利]納米晶體石墨烯、形成納米晶體石墨烯的方法、和設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811431633.2 | 申請日: | 2018-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN109837524B | 公開(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋伣在;申建旭;申鉉振;李昌錫;金昌炫;卞卿溵;李升元;李殷奎 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/26 | 分類號: | C23C16/26;C23C16/505;C23C16/511;C01B32/186;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 金擬粲 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 晶體 石墨 形成 方法 設(shè)備 | ||
提供納米晶體石墨烯、形成納米晶體石墨烯的方法、和設(shè)備。所述納米晶體石墨烯可具有在約50%至99%的范圍內(nèi)的具有sp2鍵合結(jié)構(gòu)的碳與總碳的比率。另外,所述納米晶體石墨烯可包括具有約0.5nm至約100nm的尺寸的晶體。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求分別于2017年11月29日和2018年8月13日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.10-2017-0161833和10-2018-0094620的權(quán)益,將其內(nèi)容通過引用全部引入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開內(nèi)容涉及納米晶體(納米結(jié)晶)石墨烯和形成納米晶體石墨烯的方法,更具體地,涉及納米晶體石墨烯和通過不使用催化劑的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法直接在襯底(基板)上生長納米晶體石墨烯的方法。
背景技術(shù)
石墨烯是具有由二維連接的碳原子形成的六邊形蜂窩狀結(jié)構(gòu)的晶體材料,并且石墨烯的厚度非常小,也就是說,石墨烯具有原子尺寸的厚度。這樣的石墨烯可通過化學(xué)氣相沉積(CVD)合成,或者可通過逐層地剝離石墨來獲得。
發(fā)明內(nèi)容
提供納米晶體石墨烯和通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝在表面上直接生長納米晶體石墨烯的方法。
另外的方面將部分地在下面的描述中闡述,并且部分地將從所述描述明晰,或者可通過所呈現(xiàn)的實(shí)施方式的實(shí)踐來獲悉。
根據(jù)一個實(shí)施方式的方面,納米晶體石墨烯包括納米尺寸的晶體并且具有在約50%至約99%的范圍內(nèi)的具有sp2鍵合結(jié)構(gòu)的碳與總碳的比率。
納米晶體石墨烯可包括具有約0.5nm至約100nm的尺寸的晶體。納米晶體石墨烯可包括約1原子%(原子百分比)至約20原子%的量的氫。納米晶體石墨烯可具有約1.6g/cc至約2.1g/cc的密度。
納米晶體石墨烯可通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝在約700℃或更低的溫度下直接在襯底上生長。
根據(jù)另一實(shí)施方式的方面,納米晶體石墨烯包括納米尺寸的晶體和約1原子%(原子百分比)至約20原子%的量的氫。
納米晶體石墨烯可包括具有約0.5nm至約100nm的尺寸的晶體。納米晶體石墨烯可具有在約50%至約99%的范圍內(nèi)的具有sp2鍵合結(jié)構(gòu)的碳與總碳的比率。納米晶體石墨烯可具有約1.6g/cc至約2.1g/cc的密度。
納米晶體石墨烯可通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝在約700℃或更低的溫度下直接在襯底上生長。
根據(jù)另一實(shí)施方式的方面,提供通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝形成納米晶體石墨烯的方法,所述納米晶體石墨烯包括納米尺寸的晶體并且具有在約50%至99%的范圍內(nèi)的具有sp2鍵合結(jié)構(gòu)的碳與總碳的比率,該方法包括使用反應(yīng)氣體的等離子體在約700℃或更低的溫度下直接在襯底上生長納米晶體石墨烯,所述反應(yīng)氣體包括碳源和惰性氣體。
納米晶體石墨烯可包括具有約0.5nm至約100nm的尺寸的晶體。納米晶體石墨烯可包括約1原子%(原子百分比)至約20原子%的量的氫。納米晶體石墨烯可具有約1.6g/cc至約2.1g/cc的密度。
反應(yīng)氣體可不包括氫氣或者可進(jìn)一步包括氫氣。碳源、惰性氣體和氫氣的體積比可為約1:0.01至5000:0至300。
碳源可包括烴氣體和含碳液體前體的蒸氣的至少一種。
所述前體可包括具有化學(xué)式CxHy(其中6≤x≤42且6≤y≤28)的芳族烴、所述芳族烴的衍生物、具有化學(xué)式CxHy(其中1≤x≤12且2≤y≤26)的脂族烴和所述脂族烴的衍生物的至少一種。
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C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





