[發明專利]一種沉積制備薄膜樣品的方法

有效

• 申請號: 201811430959.3
• 申請日: 2018-11-17
• 公開（公告）號: CN109580325B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 張向平;方曉華;趙永建
• 申請（專利權）人: 金華職業技術學院
• 主分類號: G01N1/44
• 分類號: G01N1/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及薄膜制備領域，一種沉積制備薄膜樣品的方法，氣相沉積裝置包括沉積腔、進氣口I、導氣管、出氣口I、出氣口II、導流罩、樣品腔、傳送桿、樣品、樣品座、樣品臺、操縱桿、進氣口II、門閥I、進樣腔、真空泵I、門閥II、分析腔、真空泵II和真空泵III，在真空環境中進行氣相沉積，沉積制備薄膜方法采用了特殊的導流罩結構，能夠減少沉積制備薄膜樣品過程中的真空污染，能夠更加精確地調節樣品溫度，獲得高質量的薄膜，能夠在無需破壞真空環境的條件下完成樣品制備和樣品分析，兼具低真空環境中進行的樣品制備和高真空環境中的樣品分析功能，能夠調節樣品與樣品座之間的接觸壓力及樣品座與加熱器之間的接觸壓力，薄膜制備到分析的過程簡單。

技術領域

本發明涉及薄膜制備領域，尤其是一種在真空環境中進行氣相沉積且污染較少的一種沉積制備薄膜樣品的方法。

背景技術

氣相沉積是一種常用的薄膜制備方法，通常是在真空環境中進行，如化學氣相沉積過程將包含了反應前驅體的載氣通入沉積腔內，使得反應前驅體與襯底樣品表面發生反應從而沉積，在某些制備過程中，沉積制備得到的薄膜樣品需要立即進行分析及表征，因此需要將樣品從沉積腔轉移到分析腔，特別是在真空度較差的條件下，要盡可能避免樣品在從沉積腔到超高真空的分析腔的傳送過程中的真空污染。現有技術缺陷一：某些現有技術采用對樣品薄膜進行熱處理的方法來去除吸附到薄膜表面的雜質，但是無法去除如金屬氧化物等殘余的反應前驅體，另外，樣品的溫度控制不夠精確容易導致加熱溫度不均勻而使得薄膜結構產生突變，再者，采用燈絲等熱源的加熱技術中熱源與樣品表面之間的溫度梯度變化較大，樣品周圍的元件溫度升高較多，通過反饋系統來控制溫度會產生延遲；現有技術缺陷二：某些現有技術采用臨時的、與薄膜制備真空系統相互獨立的中轉真空室，來實現真空度較低的沉積腔與超高真空的分析腔之間的樣品轉移，但是這種樣品轉移方法的操作過程較為復雜且耗時，所述一種沉積制備薄膜樣品的方法能夠解決問題。

發明內容

為了解決上述問題，本發明的沉積制備薄膜方法采用了特殊的導流罩結構，能夠減少沉積過程中的污染，并采用特殊設計的樣品座及樣品臺，能精確調控樣品溫度，獲得高質量的薄膜，另外，采用門閥連接各真空腔體，能夠在無需破壞真空環境的條件下完成樣品制備和樣品分析。

本發明所采用的技術方案是：