[發(fā)明專利]半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811429595.7
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN109841592A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 榊原明徳
• 申請（專利權(quán)）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/495;H01L23/488
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉楊

本發(fā)明是一種半導體裝置。半導體裝置具備：半導體元件；絕緣基板，其配置有半導體元件；以及外部連接端子，其經(jīng)由絕緣基板而與半導體元件電連接。絕緣基板具有：絕緣層；內(nèi)側(cè)導體層，其位于絕緣層的一側(cè)并與半導體元件電連接；以及外側(cè)導體層，其位于絕緣基板的另一側(cè)。外部連接端子沿著其長邊方向具有薄壁區(qū)間和厚度比薄壁區(qū)間大的厚壁區(qū)間，且在薄壁區(qū)間與絕緣基板的內(nèi)側(cè)導體層接合。

技術(shù)領(lǐng)域

本說明書公開的技術(shù)涉及半導體裝置。

背景技術(shù)

國際公開第2013/005474號中公開了半導體裝置。該半導體裝置具備：半導體元件、配置有半導體元件的絕緣基板、以及經(jīng)由絕緣基板而與半導體元件電連接的外部連接端子。絕緣基板具有絕緣層、位于絕緣層的一側(cè)并與半導體元件電連接的內(nèi)側(cè)導體層、以及位于絕緣層的另一側(cè)的外側(cè)導體層。外部連接端子的一端與絕緣基板的內(nèi)側(cè)導體層接合。

當半導體裝置的溫度上升時，絕緣基板的內(nèi)側(cè)導體層和外部連接端子分別熱膨脹。此時，由于絕緣基板的內(nèi)側(cè)導體層的熱膨脹被相鄰的絕緣層抑制，因此比外部連接端子的熱膨脹小。其結(jié)果是，在內(nèi)側(cè)導體層與外部連接端子的接合部分，容易因熱膨脹的差異而產(chǎn)生比較高的應力，由此，有可能導致半導體裝置的耐久性降低。本說明書提供至少能夠部分地解決這樣的問題的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本說明書公開的半導體裝置具備：半導體元件；絕緣基板，其配置有半導體元件；以及外部連接端子，其經(jīng)由絕緣基板而與半導體元件電連接。絕緣基板具有：絕緣層；內(nèi)側(cè)導體層，其位于絕緣層的一側(cè)并與半導體元件電連接；以及外側(cè)導體層，其位于絕緣基板的另一側(cè)。外部連接端子沿著其長邊方向具有薄壁區(qū)間和厚度比薄壁區(qū)間大的厚壁區(qū)間，且在薄壁區(qū)間與絕緣基板的內(nèi)側(cè)導體層接合。

在上述半導體裝置中，外部連接端子具有厚度小的薄壁區(qū)間，且在薄壁區(qū)間與絕緣基板的內(nèi)側(cè)導體層接合。由于在厚度小的薄壁區(qū)間，在外部連接端子產(chǎn)生的熱應力被抑制，因此，能夠減小在外部連接端子與內(nèi)側(cè)導體層之間的接合部分產(chǎn)生的應力。另一方面，外部連接端子還具有厚度大的厚壁區(qū)間，能夠在厚壁區(qū)間維持與外部連接所需的強度。

附圖說明

圖1表示實施例1的半導體裝置10的俯視圖。

圖2表示圖1中的II-II線的剖視圖。

圖3表示圖1中的III-III線的剖視圖。

圖4放大地表示第一主端子40與下側(cè)絕緣基板30的內(nèi)側(cè)導體層34之間的接合部分。在此，圖中的箭頭Va表示與下側(cè)絕緣基板30垂直的方向，平面Ha表示與下側(cè)絕緣基板30平行的平面。

圖5放大地表示第二主端子50與上側(cè)絕緣基板20的內(nèi)側(cè)導體層24之間的接合部分。在此，圖中的箭頭Vb表示與上側(cè)絕緣基板20垂直的方向，平面Hb表示與上側(cè)絕緣基板20平行的平面。

圖6放大地表示信號端子60與上側(cè)絕緣基板20的內(nèi)側(cè)導體層24之間的接合部分。

圖7表示第一主端子40的一個變形例。在該變形例中，第一主端子40的厚壁區(qū)間44的一部分和下側(cè)絕緣基板30的絕緣層32的至少一部分位于與下側(cè)絕緣基板30平行的同一平面Ha內(nèi)。

圖8表示第一主端子40的另一變形例。在該變形例中，第一主端子40的厚壁區(qū)間44的厚度沿著第一主端子40的長邊方向變化。

圖9表示第一主端子40的另一變形例。在該變形例中，厚壁區(qū)間44相對于薄壁區(qū)間42向上側(cè)絕緣基板20側(cè)突出。

具體實施方式

在本技術(shù)的一個實施方式中，也可以是，外部連接端子的厚壁區(qū)間的至少一部分和絕緣基板的內(nèi)側(cè)導體層的至少一部分位于與絕緣基板平行的同一平面內(nèi)。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠一邊抑制半導體裝置的整體的厚度，一邊使厚壁區(qū)間的厚度增大。在此，半導體裝置的厚度是指與絕緣基板垂直的方向上的半導體裝置的尺寸。