[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811429595.7 | 申請日： | 2018-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN109841592A | 公開（公告）日： | 2019-06-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 榊原明徳 | 申請（專利權(quán)）人： | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L23/495;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 劉楊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 絕緣基板 半導(dǎo)體元件 半導(dǎo)體裝置 導(dǎo)體層 薄壁 絕緣層 外部連接端子 電連接 接合 厚度比 長邊 厚壁 配置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體裝置具備：
半導(dǎo)體元件；
絕緣基板，其配置有所述半導(dǎo)體元件；以及
外部連接端子，其經(jīng)由所述絕緣基板而與所述半導(dǎo)體元件電連接，
所述絕緣基板具有：絕緣層；內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層，其位于所述絕緣層的一側(cè)并與所述半導(dǎo)體元件電連接；以及外側(cè)導(dǎo)體層，其位于所述絕緣層的另一側(cè)，
所述外部連接端子沿著其長邊方向具有薄壁區(qū)間和厚度比所述薄壁區(qū)間大的厚壁區(qū)間，且在所述薄壁區(qū)間與所述絕緣基板的所述內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層接合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述外部連接端子的所述厚壁區(qū)間的至少一部分和所述絕緣基板的所述內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層的至少一部分位于與所述絕緣基板平行的同一平面內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述外部連接端子的所述厚壁區(qū)間的一部分和所述絕緣基板的所述絕緣層的至少一部分位于與所述絕緣基板平行的同一平面內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述薄壁區(qū)間的厚度比所述絕緣基板的所述內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層的厚度小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述半導(dǎo)體裝置還具備將所述半導(dǎo)體元件密封的密封件，
所述外部連接端子的所述薄壁區(qū)間位于所述密封件的內(nèi)部，所述外部連接端子的所述厚壁區(qū)間從所述薄壁區(qū)間向所述密封件的外部延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述絕緣基板的所述外側(cè)導(dǎo)體層在所述密封件的表面露出。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述半導(dǎo)體裝置還具備第二絕緣基板，所述第二絕緣基板夾著所述半導(dǎo)體元件而與所述絕緣基板對置，
所述第二絕緣基板具有：第二絕緣層、位于所述第二絕緣層的一側(cè)并與所述半導(dǎo)體元件電連接的第二內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層、以及位于所述第二絕緣層的另一側(cè)的第二外側(cè)導(dǎo)體層，
所述第二絕緣基板的所述第二外側(cè)導(dǎo)體層在所述密封件的表面露出。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述半導(dǎo)體裝置還具備第二外部連接端子，所述第二外部連接端子經(jīng)由所述第二絕緣基板而與所述半導(dǎo)體元件電連接，
所述第二外部連接端子在其長邊方向上具有薄壁區(qū)間和厚度比所述薄壁區(qū)間大的厚壁區(qū)間，且在所述薄壁區(qū)間與所述第二絕緣基板的所述第二內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層接合。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述第二外部連接端子的所述厚壁區(qū)間的至少一部分和所述第二絕緣基板的所述第二內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層的至少一部分位于與所述第二絕緣基板平行的同一平面內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述第二外部連接端子的所述厚壁區(qū)間的一部分和所述第二絕緣基板的所述第二絕緣層的至少一部分位于與所述第二絕緣基板平行的同一平面內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8～10中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述薄壁區(qū)間的厚度比所述第二絕緣基板的所述第二內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層的厚度小。
12.根據(jù)權(quán)利要求8～11中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述第二外部連接端子的所述薄壁區(qū)間位于所述密封件的內(nèi)部，所述第二外部連接端子的所述厚壁區(qū)間從所述薄壁區(qū)間向所述密封件的外部延伸。
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