[發明專利]一種消除CVD反應腔室內表層沉積膜的方法在審
| 申請號： | 201811428065.0 | 申請日： | 2018-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN109355640A | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發明（設計）人： | 李升;左浩;劉宏明 | 申請（專利權）人： | 西安碳星半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44;C23C16/27 |
| 代理公司： | 石家莊領皓專利代理有限公司 13130 | 代理人： | 張玉嬋;王春麗 |
| 地址： | 710000 陜西省西安市國家民用航天產*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 預處理 表層沉積 反應腔 襯底 內壁 冷卻 室內 金剛石表面 金剛石生長 金剛石樣品 表面薄膜 表面狀態 襯底處理 襯底清洗 反應效果 沉積膜 生長 沖洗 檢測 | ||
1.一種消除CVD反應腔室內表層沉積膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）沖洗內壁：使用高溫高壓蒸汽沖擊浸潤CVD反應腔室內壁，將其內壁沉積的沉積膜全部沖下；
（2）內壁預處理：對CVD反應腔室內壁進行預處理，提高CVD反應腔室內壁表面的光滑度；
（3）選擇襯底：選擇質量較高、大小合適的無明顯瑕疵的超薄金剛石作為襯底；
（4）襯底清洗：使用丙酮清洗液對金剛石襯底進行清洗，并烘干備用；
（5）襯底處理：對金剛石襯底上下兩個表面進行均勻的研磨，提高襯底上下兩個表面的生長附著能力；
（6）襯底預處理：在對金剛石進行生長前，首先將襯底溫度升溫至800-850℃，并通入氫氣對研磨后的金剛石襯底表面進行預處理；
（7）冷卻：在預處理過程中，不斷在CVD反應腔室內壁上噴灑冷卻水，使CVD反應腔室內壁溫度降低，同時維持金剛石襯底溫度保持恒定；
（8）金剛石生長：使襯底溫度升高至1000-1100℃，并向CVD反應腔室通入反應氣體，使金剛石晶體在金剛石襯底上開始生長；
（9）冷卻：在金剛石生長過程中，不斷在CVD反應腔室內壁上噴灑冷卻水，使CVD反應腔室內壁溫度降低，同時維持金剛石襯底溫度保持恒定；
（10）檢測：將生長完成后的金剛石取出，并檢測其生長狀態和表面狀態，同時檢測其表面是否存在雜質。
2.如權利要求1所述的一種消除CVD反應腔室內表層沉積膜的方法，其特征在于，所述步驟（4）中的襯底清洗的溫度為45℃，并且襯底清洗的時間為60min。
3.如權利要求1所述的一種消除CVD反應腔室內表層沉積膜的方法，其特征在于，所述步驟（4）中的烘干的溫度為65℃。
4.如權利要求1所述的一種消除CVD反應腔室內表層沉積膜的方法，其特征在于，優選的，所述步驟（6）中的襯底預處理溫度為830℃。
5.如權利要求1所述的一種消除CVD反應腔室內表層沉積膜的方法，其特征在于，優選的，所述步驟（8）中的金剛石生長溫度為1050℃。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
