[發(fā)明專利]設(shè)計(jì)掩模的方法和使用該掩模制造半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811426612.1
• 申請(qǐng)日: 2018-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN110032038B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁起豪;張準(zhǔn)榮;金昌煥;徐成壽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F1/36
• 分類號(hào): G03F1/36;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

在設(shè)計(jì)掩模的方法中，設(shè)計(jì)包括有源區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)、和柵極抽頭的第一掩模，所述柵極抽頭與所述有源區(qū)和所述柵極結(jié)構(gòu)部分地重疊。改變所述第一掩模，使得所述柵極抽頭的一部分延伸。對(duì)改變的第一掩模執(zhí)行OPC以設(shè)計(jì)第二掩模。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2017年11月27日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2017-0159664的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

示例實(shí)施例涉及設(shè)計(jì)掩模的方法和使用該掩模制造半導(dǎo)體器件的方法。更具體地，示例實(shí)施例涉及設(shè)計(jì)具有柵極抽頭(tap)的半導(dǎo)體器件的掩模的方法以及使用該掩模制造半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)

為了減少PMOS晶體管中的HEIP現(xiàn)象，可以在柵極的設(shè)置在柵極和有源區(qū)之間的邊界區(qū)域處的部分處形成抽頭。因此，柵極的寬度可以在抽頭的該部分附近變化，然而，隨著器件已經(jīng)小型化，柵極的寬度變化可能不容易實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容

示例實(shí)施例提供一種改進(jìn)的設(shè)計(jì)掩模的方法。

示例實(shí)施例提供一種使用改進(jìn)的設(shè)計(jì)掩模的方法制造半導(dǎo)體器件的方法。

根據(jù)示例實(shí)施例，提供一種設(shè)計(jì)掩模的方法。在該方法中，可以設(shè)計(jì)包括有源區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)、和柵極抽頭的第一掩模，所述柵極抽頭與所述有源區(qū)和所述柵極結(jié)構(gòu)部分地重疊。可以改變所述第一掩模，使得所述柵極抽頭的一部分延伸。可以對(duì)改變的第一掩模執(zhí)行OPC以設(shè)計(jì)第二掩模。

根據(jù)示例實(shí)施例，提供一種設(shè)計(jì)掩模的方法。在該方法中，可以設(shè)計(jì)包括有源區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)、和柵極抽頭的掩模，其中每個(gè)所述柵極結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸，并且所述柵極抽頭包括與所述有源區(qū)以及所述柵極結(jié)構(gòu)中的一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)部分地重疊的至少一個(gè)柵極抽頭。可以改變所述掩模，使得所述至少一個(gè)柵極抽頭的在所述有源區(qū)外部的部分在第一方向上延伸，直到所述至少一個(gè)柵極抽頭的邊緣接觸所述柵極結(jié)構(gòu)中的另一柵極結(jié)構(gòu)或所述柵極抽頭中的另一柵極抽頭。可以對(duì)改變的掩模執(zhí)行OPC。

根據(jù)示例實(shí)施例，提供一種設(shè)計(jì)掩模的方法。在該方法中，可以在襯底上形成隔離圖案以限定有源區(qū)。可以在所述有源區(qū)和所述隔離圖案上形成在與所述襯底的上表面實(shí)質(zhì)上平行的第一方向上延伸的第一柵極結(jié)構(gòu)，并且可以在所述隔離圖案上形成在與所述襯底的所述上表面實(shí)質(zhì)上平行并且與所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且與所述第一柵極結(jié)構(gòu)接觸的第二柵極結(jié)構(gòu)。所述第一柵極結(jié)構(gòu)的與所述隔離圖案上的所述第二柵極結(jié)構(gòu)相鄰的第一部分在第二方向上的寬度可以大于所述第一柵極結(jié)構(gòu)的在所述有源區(qū)的中部上的第二部分在第二方向上的寬度。

在設(shè)計(jì)掩模的方法中，當(dāng)執(zhí)行用于抵消在使用所設(shè)計(jì)的掩模形成光致抗蝕劑圖案的光處理期間產(chǎn)生的光學(xué)鄰近效應(yīng)的OPC時(shí)，可以用柵極抽頭的具有相對(duì)大的寬度的部分代替柵極結(jié)構(gòu)的具有相對(duì)小的寬度的部分，以便具有不低于給定標(biāo)準(zhǔn)尺寸的寬度。因此，在MRC期間，不會(huì)由于柵極結(jié)構(gòu)的小部分發(fā)生錯(cuò)誤，并且當(dāng)使用掩模在襯底上實(shí)際形成柵極結(jié)構(gòu)時(shí)，可以確保處理余量。

附圖說(shuō)明

圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的設(shè)計(jì)掩模的方法的一部分的流程圖；

圖2至圖5是示出根據(jù)示例實(shí)施例的設(shè)計(jì)掩模的方法的平面圖；

圖6是示出當(dāng)使用圖5中設(shè)計(jì)的第二掩模110形成光致抗蝕劑圖案時(shí)元件的布局的平面圖；

圖7至圖9是示出根據(jù)示例實(shí)施例的設(shè)計(jì)掩模的方法的平面圖；

圖10是示出當(dāng)使用圖9中設(shè)計(jì)的第四掩模310形成光致抗蝕劑圖案時(shí)元件的布局的平面圖；

圖11至圖14是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的平面圖和截面圖；和

圖15是示出根據(jù)示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。

具體實(shí)施方式