[發(fā)明專利]設(shè)計(jì)掩模的方法和使用該掩模制造半導(dǎo)體器件的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811426612.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110032038B | 公開(公告)日: | 2023-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梁起豪;張準(zhǔn)榮;金昌煥;徐成壽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03F1/36 | 分類號(hào): | G03F1/36;H01L21/336 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 趙南;張青 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 設(shè)計(jì) 方法 使用 制造 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種設(shè)計(jì)掩模的方法,所述方法包括:
設(shè)計(jì)包括有源區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)、和柵極抽頭的第一掩模,所述柵極結(jié)構(gòu)包括在第一方向上延伸的第一柵極結(jié)構(gòu)和在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第二柵極結(jié)構(gòu),所述柵極抽頭包括彼此間隔開的多個(gè)柵極抽頭,所述柵極抽頭與所述有源區(qū)和所述第一柵極結(jié)構(gòu)部分地重疊;
通過在所述第一方向上延伸所述多個(gè)柵極抽頭中的至少一個(gè)柵極抽頭的在所述有源區(qū)的外部的部分,直到所述至少一個(gè)柵極抽頭的邊緣接觸所述第二柵極結(jié)構(gòu)或所述柵極抽頭中的另一柵極抽頭,來改變所述第一掩模;以及
對(duì)改變的第一掩模執(zhí)行光學(xué)鄰近校正以設(shè)計(jì)第二掩模。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述有源區(qū)包括在所述第一方向上彼此間隔開的第一有源區(qū)和第二有源區(qū),所述第一柵極結(jié)構(gòu)在所述第一方向上延伸穿過所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū),并且
其中,所述柵極抽頭包括與所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第一有源區(qū)部分地重疊的第一柵極抽頭和與所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二有源區(qū)部分地重疊的第二柵極抽頭。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,延伸所述多個(gè)柵極抽頭的所述至少一個(gè)柵極抽頭的所述部分包括延伸所述第一柵極抽頭的一部分,使得所述第一柵極抽頭的邊緣接觸所述第二柵極抽頭的邊緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在與所述第一方向垂直的所述第二方向上所述柵極抽頭的寬度大于所述第一柵極結(jié)構(gòu)的寬度。
5.一種設(shè)計(jì)掩模的方法,所述方法包括:
設(shè)計(jì)包括有源區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)、和柵極抽頭的掩模,所述柵極結(jié)構(gòu)包括在第一方向上延伸的第一柵極結(jié)構(gòu)和在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第二柵極結(jié)構(gòu),并且所述柵極抽頭包括與所述有源區(qū)以及所述第一柵極結(jié)構(gòu)部分地重疊的至少一個(gè)柵極抽頭;
通過在所述第一方向上延伸所述至少一個(gè)柵極抽頭的在所述有源區(qū)外部的部分來改變所述掩模,直到所述至少一個(gè)柵極抽頭的邊緣接觸所述第二柵極結(jié)構(gòu)或所述柵極抽頭中的另一柵極抽頭;以及
對(duì)改變的掩模執(zhí)行光學(xué)鄰近校正。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,所述有源區(qū)包括在所述第一方向上彼此間隔開的第一有源區(qū)和第二有源區(qū),所述第一柵極結(jié)構(gòu)在所述第一方向上延伸穿過所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū),并且
其中,所述柵極抽頭包括與所述第一柵極結(jié)構(gòu)以及所述第一有源區(qū)域部分地重疊的第一柵極抽頭和與所述第一柵極結(jié)構(gòu)以及所述第二有源區(qū)域部分地重疊的第二柵極抽頭。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,延伸所述至少一個(gè)柵極抽頭的所述部分包括延伸所述第一柵極抽頭的一部分,使得所述第一柵極抽頭的邊緣接觸所述第二柵極抽頭的邊緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,在所述第二方向上所述至少一個(gè)柵極抽頭的寬度大于所述第一柵極結(jié)構(gòu)的寬度。
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G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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