[發明專利]光掩膜版及其制作方法在審
| 申請號: | 201811426610.2 | 申請日: | 2018-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN111221214A | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發明(設計)人: | 陳新晉 | 申請(專利權)人: | 芯恩(青島)集成電路有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/62 | 分類號: | G03F1/62 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 266000 山東省青島市*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩膜版 及其 制作方法 | ||
本發明提供一種光掩膜版及其制作方法,其中,所述光掩膜版至少包括:版本體,保護膜;其中,所述保護膜可拆卸安裝于所述版本體上,以保護所述版本體表面。本發明的光掩膜版及其制作方法,具有以下有益效果:本發明的光掩膜版,保護膜可拆卸安裝于版本體上,并且保護膜和版本體之間可根據需要設計制作多種機械連接結構,安裝便捷,保護膜破損時更便于拆卸維修;相較于現有技術,不采用膠合方式,而是采用機械連接結構,因而不會出現底膠漏氣的問題,也就避免了由于底膠漏氣所引起的光掩膜版發霧的問題,同時在保護膜破損需要拆卸維修時,不會因移除殘留底膠而造成光掩膜版和清洗機器被污染。
技術領域
本發明涉及半導體制造領域,特別是涉及一種光掩膜版及其制作方法。
背景技術
光刻的本質是把臨時電路結構復制到以后要進行刻蝕和離子注入的硅片上,而這些臨時電路結構首先以圖形形式制作在光掩膜版上,然后紫外光透過光掩膜版把圖形轉移到硅片表面的光敏薄膜上。光掩膜版必須細心地清洗,以便多次重復曝光形成完美圖像。使用光掩膜版時,存在很多可能的損傷來源,例如掉鉻、表面擦傷、靜電放電(ESD)和灰塵顆粒(Particle)等。在一塊光掩膜版的電路圖上,即使只有一個灰塵顆粒,它也會在硅片上的每個位置重復,而如果灰塵顆粒落在光掩膜版上的關鍵區域,就會損害電路并造成成像缺陷。
解決光掩膜版上灰塵顆粒沾污的一個方法是采用保護膜(Pellicle)保護光掩膜版的版本體表面。如圖1所示,保護膜2主要由一個極薄的透光薄膜21、一個密封的金屬框架22以及底膠23構成,透光薄膜21被緊繃在金屬框架22上,在制作光掩模板的最后一道工序時將金屬框架22通過底膠23粘附在光掩模板的版本體1上,從而完成保護膜的安裝,且透光薄膜21大約在光掩膜版的版本體表面上方5~10mm。如圖2所示,如果一個灰塵顆粒3落到光掩膜版的版本體1表面的保護膜2上,來自該灰塵顆粒3的光通過透鏡4后的聚焦點A’距離焦平面5很遠,并且對于投影光學系統是不可見的。因此,保護膜可以有效保護光掩模板上的集成電路,避免灰塵顆粒到達光掩膜版表面而導致電路受到灰塵顆粒污染,進而導致其后黃光制程時線路斷路或短路。
然而,在現有光掩膜版中,保護膜通過膠合方式安裝在版本體上,通常會出現如下缺陷:(1)底膠會出現漏氣(out-gas)問題,而漏氣問題是造成光掩膜版上發霧(haze)問題的原因之一。(2)在保護膜破損需要維修時,移除保護膜會使得底膠殘留在光掩膜版的版本體上,除膠洗凈時易造成光掩膜版和清洗機器的污染。
因此,如何解決光掩膜版的保護膜通過膠合方式安裝在版本體上時所造成的底膠漏氣和光掩膜版發霧的缺陷,以及如何解決移除殘留底膠時所造成的光掩膜版和清洗機器被污染的缺陷,是亟待解決的問題。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種光掩膜版及其制作方法,用于解決現有技術中光掩膜版的保護膜通過膠合方式安裝在版本體上時所造成的底膠漏氣和光掩膜版發霧的問題,以及移除殘留底膠時所造成的光掩膜版和清洗機器被污染的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種光掩膜版,其中,所述光掩膜版至少包括:版本體,保護膜;其中,所述保護膜可拆卸安裝于所述版本體上,以保護所述版本體表面。
優選地,所述保護膜與所述版本體之間相互卡合。
優選地,所述保護膜至少包括:第一薄膜,第二薄膜,第一邊框,以及第二邊框;其中,所述第一薄膜和所述第二薄膜相對設置,所述第一邊框和所述第二邊框相對設置,所述第一邊框的兩端分別連接所述第一薄膜和所述第二薄膜的側邊,所述第二邊框的兩端分別連接所述第一薄膜和所述第二薄膜的另一側邊,所述第一邊框和所述第二邊框均具有凸形夾口;其中,所述保護膜通過所述第一薄膜、所述第二薄膜、所述第一邊框和所述第二邊框的組合形成中空通道,所述版本體從所述保護膜的中空通道插入,且所述版本體的兩側分別與所述第一邊框和所述第二邊框的凸形夾口通過過盈配合來相互卡合。
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