[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201811426477.0
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN111224001B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 吳勁衡;吳龍佳;何斯納
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開一種量子點發光二極管及其制備方法，所述量子點發光二極管包括：陽極、陰極、設置在所述陽極和陰極之間的量子點發光層、設置在所述陽極和量子點發光層之間的空穴傳輸層，所述空穴傳輸層材料包括第一p型硫化鋅納米顆粒和磷烯，所述第一p型硫化鋅納米顆粒表層摻雜有P元素，所述磷烯結合在所述第一p型硫化鋅納米顆粒表面。本發明所述第一p型硫化鋅納米顆粒表層摻雜有P元素，P元素替代S元素形成P型摻雜，能夠達到提高空穴位點的效果，從而提高空穴濃度，進而提高空穴傳輸性能。

技術領域

本發明涉及量子點發光器件領域，尤其涉及一種量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

量子點發光二極管由于其擁有高發光效率、高色純度、窄發光光譜、發射波長可調等優點，有望成為新一代優秀顯示技術，而目前限制量子點發光二極管發展的技術主要在于其器件壽命較低以及穩定性較差，其中最主要的問題在于器件結構中空穴傳輸層效率太低，無法與電子傳輸效率平衡，導致發光效率低。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種量子點發光二極管及其制備方法，旨在解決現有量子點發光二極管中空穴傳輸層效率太低，無法與電子傳輸效率平衡，導致發光效率低的問題。

本發明的技術方案如下：

一種量子點發光二極管，包括：陽極、陰極、設置在所述陽極和陰極之間的量子點發光層、設置在所述陽極和量子點發光層之間的空穴傳輸層，其中，所述空穴傳輸層材料包括第一p型硫化鋅納米顆粒和磷烯，所述第一p型硫化鋅納米顆粒表層摻雜有P元素，所述磷烯結合在所述第一p型硫化鋅納米顆粒表面。

一種量子點發光二極管的制備方法，其中，包括步驟：

提供基板；

提供包含第一p型硫化鋅納米顆粒和磷烯的混合溶液，所述第一p型硫化鋅納米顆粒表層摻雜有P元素；

將所述混合溶液沉積在基板上成膜，形成空穴傳輸層。

有益效果：本發明中，所述空穴傳輸層材料包括第一p型硫化鋅納米顆粒和磷烯，所述第一p型硫化鋅納米顆粒表層摻雜有P元素，P元素替代S元素形成P型摻雜，能夠達到提高空穴位點的效果，從而提高空穴濃度，進而提高空穴傳輸性能。所述第一p型硫化鋅納米顆粒表層的P元素能夠與磷烯以范德華力結合，形成ZnP~P作用力。所述磷烯可以作為一個“橋”將第一p型硫化鋅納米顆粒聯接起來，從而提高材料間的空穴傳輸效率，進一步提高材料空穴傳輸性能的效果。

附圖說明

圖1為本發明實施例中提供的一種量子點發光二極管的結構示意圖。

具體實施方式

本發明提供一種量子點發光二極管及其制備方法，為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

本發明實施例提供一種量子點發光二極管，包括：陽極、陰極、設置在所述陽極和陰極之間的量子點發光層、設置在所述陽極和量子點發光層之間的空穴傳輸層，其中，所述空穴傳輸層材料包括第一p型硫化鋅納米顆粒和磷烯，所述第一p型硫化鋅納米顆粒表層摻雜有P元素，所述磷烯結合在所述第一p型硫化鋅納米顆粒表面。

本實施例中，所述空穴傳輸層材料包括第一p型硫化鋅納米顆粒和磷烯，所述第一p型硫化鋅納米顆粒表層摻雜有P元素，P元素替代S元素形成P型摻雜，能夠達到提高空穴位點的效果，從而提高空穴濃度，進而提高空穴傳輸性能。