[發(fā)明專利]一種量子點發(fā)光二極管及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811426477.0 | 申請日： | 2018-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN111224001B | 公開（公告）日： | 2021-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳勁衡;吳龍佳;何斯納 | 申請（專利權(quán)）人： | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/50 | 分類號： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 量子 發(fā)光二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種量子點發(fā)光二極管，包括：陽極、陰極、設(shè)置在所述陽極和陰極之間的量子點發(fā)光層、設(shè)置在所述陽極和量子點發(fā)光層之間的空穴傳輸層，其特征在于，所述空穴傳輸層材料包括第一p型硫化鋅納米顆粒和磷烯，所述第一p型硫化鋅納米顆粒表層摻雜有P元素，所述磷烯結(jié)合在所述第一p型硫化鋅納米顆粒表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層材料包括第一p型硫化鋅納米顆粒和分散在多個第一p型硫化鋅納米顆粒之間的磷烯，所述多個第一p型硫化鋅納米顆粒通過所述磷烯聯(lián)接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述硫化鋅納米顆粒選自硫化鋅納米棒、硫化鋅納米微球和硫化鋅納米片中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述硫化鋅納米微球的粒徑為5-20nm；和/或
所述硫化鋅納米棒的尺寸為5-20nm；
所述硫化鋅納米片的尺寸為5-20nm；
所述磷烯的尺寸為2-50nm以下的單分子層或多分子層結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述磷烯的尺寸為10-40nm以下的單分子層或多分子層結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層的厚度為30-100nm。
7.一種量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供基板；
提供包含第一p型硫化鋅納米顆粒和磷烯的混合溶液，所述第一p型硫化鋅納米顆粒表層摻雜有P元素；
將所述混合溶液沉積在基板上成膜，形成空穴傳輸層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述混合溶液通過以下方法制備得到：
將表面無摻雜的硫化鋅納米顆粒置于NH3氛圍中加熱，得到表層摻雜有N元素的第二p型硫化鋅納米顆粒；
將表層摻雜有N元素的第二p型硫化鋅納米顆粒與磷烯混合后煅燒，得到包含第一p型硫化鋅納米顆粒和磷烯的混合材料；
將所述混合材料分散到溶劑中，得到所述混合溶液。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，在250～350攝氏度條件下，將表面無摻雜的硫化鋅納米顆粒置于NH3氛圍中加熱，得到表層摻雜有N元素的第二p型硫化鋅納米顆粒；和/或
將表層摻雜有N元素的第二p型硫化鋅納米顆粒與磷烯混合后，在500-700攝氏度條件下煅燒。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，將所述混合溶液沉積在基板上，在50～250攝氏度條件下退火，形成所述空穴傳輸層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
