[發明專利]用于阻性存儲單元的測試結構及耐久性測試方法

有效

• 申請號: 201811424807.2
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN111223518B
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 何世坤;楊曉蕾;竹敏;任云翔
• 申請（專利權）人: 中電?？导瘓F有限公司;浙江馳拓科技有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667
• 代理人: 趙永剛

1.一種用于阻性存儲單元的測試結構，其特征在于，包括多個待測阻性存儲單元，每個待測阻性存儲單元分別連接有一個可控開關器件，每個待測阻性存儲單元的第一連接端接于一點，共同連接至第一測試電極，每個待測阻性存儲單元的第二連接端分別連接至對應的可控開關器件的第一連接端，每個可控開關器件的第二連接端接于一點，共同連接至第二測試電極，每個可控開關器件的控制端分別連接至各自的控制信號電極，其中，第一測試電極和第二測試電極用于輸入讀寫信號，各控制信號電極用于輸入可控開關器件的控制信號。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第一測試電極和所述第二測試電極采用GS電極結構，或者，所述測試結構還包括第三測試電極，與所述第一測試電極、所述第二測試電極一起構成GSG電極結構，所述第二測試電極和所述第三測試電極接地，所述第一測試電極輸入脈沖信號。

3.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述可控開關器件為電壓控制開關器件，且不同待測阻性存儲單元所連接的可控開關器件具有相同或者相反的開關特性。

4.根據權利要求3所述的測試結構，其特征在于，所述可控開關器件為N/PMOS管、BJT或者IGBT。

5.根據權利要求3所述的測試結構，其特征在于，所述多個待測阻性存儲單元為偶數個，且每兩個為一組，每組內的兩個待測阻性存儲單元所連接的可控開關器件具有相反的開關特性。

6.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述阻性存儲單元為磁隧道結MTJ。

7.一種基于權利要求1所述的用于阻性存儲單元的測試結構的耐久性測試方法，其特征在于，包括：

1)對各控制信號電極依次施加電壓，測量測試結構中各待測阻性存儲單元的阻值，對阻值正常的待測阻性存儲單元進行標記，得到樣本序列；

2)對樣本序列對應的控制信號電極同時施加電壓，測量樣本序列全部待測阻性存儲單元的起始并聯阻值；

3)保持對樣本序列對應的控制信號電極同時施加電壓，重復執行以下過程：在第一測試電極和第二測試電極之間施加特定激勵信號，測量樣本序列全部待測阻性存儲單元的并聯阻值，直至得到的并聯阻值與起始并聯阻值的差值大于設定閾值，記錄激勵信號施加次數；

4)對樣本序列對應的控制信號電極依次施加電壓，測量樣本序列中各待測阻性存儲單元的阻值，對阻值正常的待測阻性存儲單元進行標記，得到新的樣本序列，并記錄阻值異常的待測阻性存儲單元的耐久性測試數據為步驟3)的激勵信號施加次數；

5)按照步驟2)-4)對新的樣本序列繼續進行測試，重復執行該過程，直至新的樣本序列為空，或者，激勵信號施加次數達到設定的上限值，當激勵信號施加次數達到設定的上限值時，阻值正常的待測阻性存儲單元的耐久性測試數據設定為大于該上限值。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述設定閾值為10歐姆。