[發(fā)明專(zhuān)利]包括Z2-FET型存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器陣列

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811420459.1
• 申請(qǐng)日: 2018-11-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109994485A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·埃爾迪拉尼;T·貝德卡爾拉茨;P·加利
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11568
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11568
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種存儲(chǔ)器陣列，包括：

多個(gè)Z²-FET型存儲(chǔ)器單元；以及

對(duì)應(yīng)的多個(gè)MOS型選擇晶體管；

其中每個(gè)存儲(chǔ)器單元包括與所述MOS型選擇晶體管中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)MOS型選擇晶體管的第一導(dǎo)電類(lèi)型的漏極區(qū)共用的所述第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一區(qū)；并且

其中所述存儲(chǔ)器陣列的同一列的所述MOS型選擇晶體管具有共用漏極區(qū)、共用源極區(qū)和共用溝道區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器陣列，其中所述存儲(chǔ)器陣列的同一列的所述存儲(chǔ)器單元具有共用前柵。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器陣列，其中所述同一列的所述存儲(chǔ)器單元的所述共用前柵連接到字線(xiàn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器陣列，其中每個(gè)存儲(chǔ)器單元包括第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器陣列，其中所述存儲(chǔ)器陣列的同一行的所述存儲(chǔ)器單元的所述第二區(qū)連接到位線(xiàn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器陣列，其中所述存儲(chǔ)器陣列的所述同一行的所述存儲(chǔ)器單元兩兩連接并且具有第二共用區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器陣列，其中所述共用源極區(qū)連接到參考電壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器陣列，其中同一列的所述MOS型選擇晶體管具有共用柵極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器陣列，其中所述存儲(chǔ)器陣列的同一列的所述MOS型選擇晶體管的共用柵極區(qū)連接到控制線(xiàn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器陣列，其中所述MOS型選擇晶體管是N溝道MOS晶體管。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器陣列，其中所述MOS型選擇晶體管是P溝道MOS晶體管。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器陣列，其中每個(gè)Z²-FET型存儲(chǔ)器單元在襯底上包括：

陽(yáng)極區(qū)；

陰極區(qū)；

輕摻雜區(qū)，將所述陽(yáng)極區(qū)與所述陰極區(qū)分開(kāi)；以及

絕緣柵極區(qū)，定位于所述輕摻雜區(qū)的一部分的頂部上并且與所述輕摻雜區(qū)的所述一部分接觸。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器陣列，其中所述陰極區(qū)是所述第一區(qū)，并且其中所述陽(yáng)極區(qū)和所述輕摻雜區(qū)的寬度小于所述第一區(qū)的寬度，所述寬度垂直于在所述MOS型選擇晶體管的漏極區(qū)與源極區(qū)之間延伸的方向。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器陣列，其中所述陽(yáng)極區(qū)是所述第一區(qū)，并且其中所述陰極區(qū)和所述輕摻雜區(qū)的寬度小于所述第一區(qū)的寬度，所述寬度垂直于在所述MOS型選擇晶體管的漏極區(qū)與源極區(qū)之間延伸的方向。

15.一種存儲(chǔ)器單元，包括：

Z²-FET型存儲(chǔ)器器件，所述Z²-FET型存儲(chǔ)器器件包括陽(yáng)極區(qū)、陰極區(qū)和將所述陽(yáng)極區(qū)與所述陰極區(qū)分開(kāi)的輕摻雜區(qū)；以及

MOS型選擇晶體管，連接到所述Z²-FET型存儲(chǔ)器器件；

其中所述Z²-FET型存儲(chǔ)器器件的陰極區(qū)也是所述MOS型選擇晶體管的漏極區(qū)；并且

其中所述陽(yáng)極區(qū)和所述輕摻雜區(qū)的寬度小于所述陰極區(qū)的寬度，所述寬度垂直于在所述MOS型選擇晶體管的所述漏極區(qū)與源極區(qū)之間延伸的方向。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器單元，其中所述Z²-FET型存儲(chǔ)器器件的前柵連接到字線(xiàn)。