[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 201811419198.1
• 申請日: 2018-11-26
• 公開（公告）號: CN111223999A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 梁柱榮;曹蔚然;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點發光二極管，包括陽極、量子點發光層及陰極，所述量子點發光層設置在所述陽極與所述陰極之間，其特征在于，還包括設置于所述陽極與所述量子點發光層之間的第一修飾層，所述第一修飾層包括PAMAM，所述PAMAM中摻雜有過渡金屬陽離子。

2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述第一修飾層由過渡金屬陽離子摻雜的PAMAM組成。

3.根據權利要求1或2所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述PAMAM中還摻雜有陰離子。

4.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，還包括設置于所述陰極與所述量子點發光層之間的第二修飾層，所述第二修飾層包括PAMAM。

5.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述過渡金屬陽離子與所述第一修飾層中的PAMAM的摩爾比為0.01~720。

6.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述過渡金屬陽離子中的過渡金屬包括Cu、Ni、Zn、Co、Fe、Mn、Cr、V、Ti、Sc、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pb、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au和Hg中的一種或多種。

7.根據權利要求3所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述陰離子包括Cl^-、CO₃^-、S^2-、SO₄^2-、SO₃^2-、MnO₄^2-、MnO₄^-、PO₄^3-、NO₃^-、NO₂^-、ClO₃^-、ClO^-、ClO₂^-、ClO₄^-、CN^-、AlO₂^-、AlO₃^3-、C₂O₄^2-、FeO₄^2-、Cr₂O₇^2-、CrO₄^2-、SeO₄^2-中的一種或多種。

8.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述陽極材料包括金屬材料、碳材料、金屬氧化物和空穴注入材料中的一種或多種；和/或

所述陰極材料包括金屬材料、碳材料和金屬氧化物中的一種或多種。

9.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述第一修飾層的厚度為2~110nm。

10.根據權利要求4所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述第二修飾層的厚度為5~96nm。

11.一種量子點發光二極管，包括陽極、量子點發光層及陰極，所述量子點發光層設置在所述陽極與所述陰極之間，其特征在于，還包括設置于所述陰極與所述量子點發光層之間的第二修飾層，所述第二修飾層包括PAMAM。

12.一種量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供陽極；

在所述陽極上制備第一修飾層，所述第一修飾層包括PAMAM，所述PAMAM中摻雜有過渡金屬陽離子；

在所述第一修飾層上制備量子點發光層；

在所述量子點發光層上制備陰極。