[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 201811419198.1
• 申請日: 2018-11-26
• 公開（公告）號: CN111223999A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 梁柱榮;曹蔚然;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開一種量子點發光二極管及其制備方法，其中所述量子點發光二極管，包括陽極、量子點發光層及陰極，所述量子點發光層設置在所述陽極與所述陰極之間，還包括設置于所述陽極與所述量子點發光層之間的第一修飾層，所述第一修飾層包括PAMAM，所述PAMAM中摻雜有過渡金屬陽離子。本發明通過將第一修飾層設置在陽極與量子點發光層之間，用于修飾陽極，可以提高陽極的功函數，從而提高空穴的注入效果，進而提高器件的性能。本發明還可以通過將第二修飾層設置在陰極與量子點發光層之間，用于修飾陰極，經修飾后的陰極的功函數會有所降低，從而提高電子注入效果，進而提高器件的性能。

技術領域

本發明涉及量子點發光器件領域，尤其涉及一種量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

膠體量子點（Colloidal quantum dot，CQD）是在溶液的基礎上合成出來的半導體納米晶體。膠體量子點由于具有發光線寬窄、發光效率高，且不同大小的量子點能被單一波長的光激發而發出不同顏色的光等特點，推動著下一代光電顯示技術的發展。以膠體量子點作為發光層的量子點發光二極管（Quantum dot light-emitting diode，QLED）是極具潛力的下一代顯示和固態照明光源。

一般而言，QLED是由多層薄膜組成的多層結構，包括陰極、量子點發光層、陽極，以及設置在陰極與量子點發光層之間的電子傳輸層（和/或電子注入層）和設置在陽極與量子點發光層之間的空穴傳輸層（和/或空穴注入層）。其中，設置載流子傳輸層和注入層的目的，主要是因為電極與量子點發光層之間的能級差異太大，導致載流子不能有效地從電極注入到量子點發光層中。雖然引入載流子傳輸層后可以有利于載流子的注入，但是一般來說，不同載流子傳輸層材料具有相對固定的能帶結構，所以針對某種的電極材料與量子點發光材料，需要尋找特定的能帶相匹配的材料作為載流子傳輸層。因此，高性能的QLED器件對載流子傳輸層材料的要求很高，材料的使用也比較單一，并且電子傳輸層與空穴傳輸層的材料類型往往差異非常大。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種量子點發光二極管及其制備方法，旨在解決現有高性能的量子點發光二極管對載流子傳輸層材料的要求很高，材料的使用也比較單一，并且電子傳輸層與空穴傳輸層的材料類型往往差異非常大的問題。

本發明的技術方案如下：

一種量子點發光二極管，包括陽極、量子點發光層及陰極，所述量子點發光層設置在所述陽極與所述陰極之間，其中，還包括設置于所述陽極與所述量子點發光層之間的第一修飾層，所述第一修飾層包括PAMAM（聚酰胺-胺型樹枝狀高分子），所述PAMAM中摻雜有過渡金屬陽離子。

一種量子點發光二極管，包括陽極、量子點發光層及陰極，所述量子點發光層設置在所述陽極與所述陰極之間，其中，還包括設置于所述陰極與所述量子點發光層之間的第二修飾層，所述第二修飾層包括PAMAM。

一種量子點發光二極管的制備方法，其中，包括步驟：

提供陽極；

在所述陽極上制備第一修飾層，所述第一修飾層包括PAMAM，所述PAMAM中摻雜有過渡金屬陽離子；

在所述第一修飾層上制備量子點發光層；

在所述量子點發光層上制備陰極。

有益效果：本發明通過將第一修飾層設置在陽極與量子點發光層之間，用于修飾陽極，可以提高陽極的功函數，從而提高空穴的注入效果，進而提高器件的性能。本發明還可以通過將第二修飾層設置在陰極與量子點發光層之間，用于修飾陰極，經修飾后的陰極的功函數會有所降低，從而提高電子注入效果，進而提高器件的性能。

附圖說明

圖1為本發明實施例中PAMAM的化學結構式；