[發明專利]無損測試毫米波BGA封裝組件的方法有效
| 申請號: | 201811418051.0 | 申請日: | 2018-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN109655733B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 劉帥;張凱 | 申請(專利權)人: | 西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所) |
| 主分類號: | G01R31/28 | 分類號: | G01R31/28 |
| 代理公司: | 成飛(集團)公司專利中心 51121 | 代理人: | 郭純武 |
| 地址: | 610036 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無損 測試 毫米波 bga 封裝 組件 方法 | ||
本發明公開的一種無損測試毫米波BGA封裝組件的方法,旨在提供一種易于拆裝、靈活度高且對被測BGA封裝組件無二次損傷的無損測試方法。本發明通過下述技術方案予以實現:測試時,金屬盒體(1)將被測BGA封裝組件(2)倒扣在第一介質基板(7)上,BGA封裝組件(2)的焊球與高頻毛紐扣(5)及低頻毛紐扣(6)實現彈性觸碰;低頻毛紐扣(6)接觸低頻轉接線(14)的圓片,連通指狀線形成的低頻測試接口;高頻信號通過高頻毛紐扣(5)垂直過渡到高阻抗匹配線(11),通過低阻抗匹配線(12)傳輸到共面傳輸線(13)形成的標準50歐姆通用高頻測試接口;通過共面線(13)及低頻轉接線(14),可對BGA封裝組件(2)的性能進行無損測試。
技術領域
本發明屬于微波技術領域,具體為用于對毫米波BGA封裝組件性能進行測試的方法。
背景技術
近年來,毫米波器件性能的不斷提高,成本的不斷降低,有力地促進了毫米波在各個領域的應用。隨著毫米波電路集成度的提高,具有高密度高低頻I/O接口,能適用于大規模SMT組裝工藝的球柵陣列BGA(Ball Grid Array Package)封裝已作為一種主流封裝技術。BGA球柵陣列封裝是在封裝體基板的底部制作陣列焊球作為電路的I/O端與印刷線路板(PCB)互連。采用該項技術封裝的器件是一種表面貼裝型器件,能夠實現多芯片組件MCM(MultiChip Module)的高密度、高性能集成。
在毫米波頻段,將多個毫米波芯片封裝成BGA組件,在表貼焊接在PCB板上之前,須確保芯片封裝后組件的功能狀態正常。因此,需要先對封裝組件進行測試,以便根據其性能指標進行篩選。若BGA封裝組件采用焊接裝配到PCB板進行測試的方式,在測試完成后取下BGA封裝組件的過程,會對BGA封裝的焊球造成一定損傷。因此,這對毫米波BGA封裝組件的無損測試提出了迫切需求。
在毫米波頻段,測試插座不僅需要保證BGA封裝與PCB板的低頻電氣連通,還需考慮高頻傳輸匹配問題。在現有的無損測試的方法中,通常將彈簧、彈性針,彈性銀顆粒及彈性銀紐扣等作為BGA封裝組件的焊球與微波PCB板之間的連接媒介。彈簧式可用頻率較低,難以用于毫米波頻段;而彈性針、彈性銀顆粒及彈性銀紐扣雖具有優異的高頻傳輸特性,但成本較高且加工周期長。另外,彈性針還易對焊球造成損傷。
發明內容
本發明的目的是針對現有毫米波BGA封裝組件測試方法中的不足,提供一種易于拆裝、靈活度高、成本低廉且對被測BGA封裝組件無二次損傷的無損測試方法。
為解決上述技術問題,本發明通過以下技術方案來實現:一種無損測試毫米波BGA封裝組件的方法,具有如下特征:在第二介質基板15的正面覆銅面上,刻蝕一塊向上對應BGA封裝組件2上高頻焊球3的接地銅面10和與其正交并對應低頻焊球4的帶圓片指狀的低頻轉接線14,并在所述接地銅面10的長條方向上制出帶圓片的高阻抗匹配線11和與其延伸相連的低阻抗匹配線12,以及與所述低阻抗匹配線12終端相連的共面傳輸線13,金屬化過孔17將正面接地銅面10與背面大面積下接地銅面16連通,保證良好的高頻接地,在第一介質基板7背面覆銅面刻蝕與接地銅面10位置對應且形狀相同的焊接銅面9,并在基板上7制出與被測BGA封裝組件2焊球一一對應的非金屬化過孔8;第一介質基板7通過其焊接銅面9與第二介質基板(15)焊接固聯為一體,然后將作為連接BGA封裝組件2與第二介質基板15之間的垂直連接媒介的毛紐扣,填裝于第一介質基板7的非金屬化過孔8中,構成測試插座;測試時,金屬盒體1將被測BGA封裝組件2倒扣在第一介質基板7上,BGA封裝組件2的焊球彈性觸碰上述毛紐扣;低頻毛紐扣6接觸低頻轉接線14的圓片,連通指狀線形成的低頻測試接口;高頻信號通過高頻毛紐扣5垂直過渡到高阻抗匹配線11,通過低阻抗匹配線12傳輸到共面傳輸線13形成的標準50歐姆通用高頻測試接口;從而對BGA封裝組件2的性能進行測試。
本發明相對于現有技術具有如下有益效果:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所),未經西南電子技術研究所(中國電子科技集團公司第十研究所)許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811418051.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





