[發明專利]用于制造照明裝置的方法有效
| 申請號: | 201811416129.5 | 申請日: | 2018-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN109841718B | 公開(公告)日: | 2022-02-15 |
| 發明(設計)人: | P.納格爾;K.賴因格魯貝爾 | 申請(專利權)人: | 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/56 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張濤;劉春元 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 照明 裝置 方法 | ||
用于制造具有發射輻射的光電子器件的方法,其中所述器件被布置在載體上,其中第一層被施加到載體上,其中所述第一層至少在側面以環繞框架的形式包圍所述器件,其中隨后在所述框架旁邊在側面將第二層施加到所述第一層上,其中所述第二層具有大于第一層的硬度。
技術領域
本發明涉及一種用于制造照明裝置的方法和一種具有發射輻射的器件的照明裝置。
背景技術
在現有技術中,已知提供一種具有發射輻射的器件的照明裝置,其中該器件嵌入在模塑材料中。
發明內容
本發明的任務在于提供一種用于具有發射輻射的器件的改進的照明裝置的方法以及一種具有發射輻射的器件的改進的照明裝置。
本發明的任務通過獨立權利要求解決。
所描述的方法和所描述的照明裝置的優點在于,借助所提出的方法提供具有發射輻射的光電子器件的照明裝置,其中所述照明裝置具有改進的機械和/或光學特性。這是通過以下方式實現的:發射輻射的光電子器件布置在載體上并且在載體上施加第一層。第一層至少在側面以環繞框架的形式包圍該器件。隨后,在框架旁邊在側面將第二層施加到第一層上。第二層具有大于第一層的硬度。因此,第二層負責為所述器件提供穩定的機械殼體。第一層可以具有比第二層更大的光密度。第一層可以在該實施中負責鄰接所述器件以及環繞所述器件地設置框架,該框架強烈散射或反射電磁輻射。因此,在短距離內可以實現所述器件的輻射面與非輻射和暗的周圍區域之間的邊界。由于第一層在側面包圍所述器件,因此還可以很好地阻擋在側面從所述器件射出的射線。例如,作為第一層的材料,可以使用具有散射顆粒的基質材料。作為基質材料例如可使用硅,其填充有諸如氧化鈦的散射顆粒。例如,散射顆粒的填充度可以位于10至70重量百分比的范圍內。
在一種實施中,在施加第二層之前將第三層施加到第一層上。在此,在該器件的上側的高度上所述第一層的框架至少在側面以環繞的第二框架的形式由所述第三層的第二材料包圍。接著在側面鄰接第二框架地將第二層施加到第三層上。第三層具有比第一層的材料更少地透射該器件的電磁輻射的材料。例如,第三層由吸收輻射的材料、特別是黑色材料形成,該材料基本上不透射所述器件的電磁輻射。因此,可以將電磁輻射在側面方向上的傳播限制到第一層的框架上。由此實現了對輻射面的精確限制。
例如,第一層可以整面都是各向異性的并且以均勻的層厚度施加到載體上,并且以框架的形式鄰接地施加到器件上。在此,第一層的層厚度可以在30μm到600μm的范圍內。例如,可以借助噴射方法、噴涂方法或鑄造方法來施加第一層。此外,第一層也可以被施加到器件上。依據所選擇的實施方式,可以在施加第二層之前對第一層進行預固化或固化。
在一種實施中,第二層可以借助模塑方法施加到第一層上并且與框架鄰接。為此,可以將板放置在器件上,其中用第二層填滿板和第一層之間的間隙。作為模塑方法,例如可以使用薄膜輔助模塑方法。此外,可以使用模塑方法,以便在約150°C的常規工藝溫度下實現第一層和第二層二者的固化。在施加第二層之前,第一層可以被固化或凝膠化到以下程度,使得第一層在引入第二層時不會被洗掉,但仍然連接或粘接到第二層。
作為第二層的材料可以例如使用硅-玻璃復合材料,其具有比第一層更大的硬度。代替玻璃顆粒,還可以使用由對器件的輻射足夠光學透射并引起期望的第二層硬度的其他材料制成的顆粒。另外,第一層具有比第二層更大的光密度。依據所選擇的實施方式,第一層和第二層之間的硬度可以至少相差10%。另外,特別地,第一層和第二層之間的光密度可以至少相差10%。第二層的硬度越大,殼體的硬度就越大。由此,可以產生抵抗器件的機械負荷的魯棒的殼體。第一層的光密度越大,在器件上側(即輻射面)旁邊在側面發射的輻射越少。因此,在器件旁邊在側面實現了更大的輻射功率下降。該器件例如可以被構造成發光二極管。另外,第二層可以由吸收輻射的材料,特別是黑色材料形成,該材料對于器件的輻射具有很小的光透射或者沒有光透射。例如,第二層可以由黑化的硅和/或黑化的環氧樹脂或黑色塑料組成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司,未經奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811416129.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





