[發明專利]用于制造照明裝置的方法

有效

• 申請號: 201811416129.5
• 申請日: 2018-11-26
• 公開（公告）號: CN109841718B
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發明（設計）人: P.納格爾;K.賴因格魯貝爾
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/56
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張濤;劉春元

1.用于制造具有發射輻射的光電子器件的照明裝置的方法，其中將所述器件布置在載體上，其中在所述載體上施加第一層，其中所述第一層以下側施加在所述載體上，其中所述第一層具有與所述下側相對布置的上側，其中所述第一層至少在側面以環繞框架的形式包圍所述器件，其中所述框架在側面與所述器件鄰接，其中隨后在所述框架旁邊在側面將第二層施加到所述第一層的上側上，其中所述第二層具有大于第一層的硬度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在施加所述第二層之前將第三層施加到所述第一層上，其中所述第三層至少在側面以環繞的第二框架的形式包圍所述第一層的框架，其中隨后在所述第二框架旁邊在側面將所述第二層施加到所述第三層上，其中所述第三層具有比所述第一層的材料更少地透射所述器件的電磁輻射的材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在施加所述第一層之后將板放置到所述器件上，其中借助模塑方法用模塑材料填滿所述板和所述第一層之間的間隙并構造出所述第二層。

4.根據權利要求2所述的方法，其中在施加所述第三層之后將板放置到所述器件上，其中借助模塑方法用模塑材料填滿所述板和所述第三層之間的間隙并構造出所述第二層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中在施加所述第一層之前將保護層施加到所述器件的上側上，其中隨后施加所述第一層。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述第一層被施加到所述器件的上側上或保護層的上側上，以及其中通過施加板，將所述第一層從所述器件的上側或所述保護層的上側至少部分地擠出到所述器件的上側旁邊或所述保護層旁邊的邊緣區域中。

7.根據權利要求5所述的方法，其中所述第一層被施加到所述器件的上側上或所述保護層的上側上，其中借助研磨工藝或借助銑削工藝或借助切割工藝至少部分地從所述器件的上側或從所述保護層的上側除去所述第一層。

8.根據權利要求5所述的方法，其中，第三層被施加到所述器件的上側上或所述保護層的上側上和至少施加到所述第一層的框架上，其中通過板的放置所述第三層的材料從所述器件的上側或從所述保護層的上側和從所述第一層的框架上側至少部分地被擠出到在所述第一層的框架旁邊側面的邊緣區域中，并且由所述第三層的材料形成第二框架。

9.根據權利要求5所述的方法，其中，第三層被施加到所述器件的上側上或所述保護層的上側上和施加到所述第一層的框架上，其中從所述器件的上側或從所述保護層的上側和從所述第一層的框架上側借助研磨工藝或借助銑削工藝或借助切割工藝至少部分地除去所述第二層。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述器件具有半導體芯片和轉換元件，其中所述轉換元件被布置在所述半導體芯片上并且形成所述器件的上側的至少一部分。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一層和/或所述第二層具有在30μm和600μm的范圍內的厚度。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一層具有基質材料和散射顆粒，并且其中所述第二層由模塑材料形成。

13.根據權利要求10所述的方法，其中，至少在鄰接所述半導體芯片的上側的環繞的邊緣區域中，在所述第一層中引入溝槽。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，所述基質材料是硅。