[發明專利]剝離裝置

有效

• 申請號: 201811414666.6
• 申請日: 2018-11-26
• 公開（公告）號: CN109834858B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 日野原和之;山本涼兵
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

提供剝離裝置，其能夠容易地以剝離層為起點將晶片從錠剝離。剝離裝置包含：錠保持單元，其使相當于晶片的部分向上而對錠(50)進行保持；超聲波振蕩單元，其振蕩出超聲波，該超聲波振蕩單元具有與相當于晶片的部分面對的端面；水提供單元，其對相當于晶片的部分與超聲波振蕩單元的端面之間提供水；以及剝離單元，其對相當于晶片的部分進行吸引保持并將晶片從錠剝離。

技術領域

本發明涉及剝離裝置，從形成有剝離層的錠剝離出晶片。

背景技術

IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al₂O₃(藍寶石)等為原材料的晶片的正面上層疊功能層并由分割預定線劃分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以單晶SiC(碳化硅)為原材料的晶片的正面上層疊功能層并由分割預定線劃分而形成的。形成有器件的晶片通過切削裝置、激光加工裝置對分割預定線實施加工而分割成各個器件，分割得到的各器件被用于移動電話或個人計算機等電子設備。

供器件形成的晶片通常是利用劃片鋸將圓柱形狀的錠薄薄地切斷而生成的。切斷得到的晶片的正面和背面通過研磨而精加工成鏡面(例如，參照專利文獻1)。但是，當利用劃片鋸將錠切斷并對切斷得到的晶片的正面和背面進行研磨時，錠的大部分(70％～80％)會被浪費，存在不經濟的問題。特別是單晶SiC錠，其硬度高，難以利用劃片鋸切斷，需要花費相當長的時間，因此生產率差，并且錠的單價高，在高效地生成晶片方面具有課題。

因此，本申請人提出了下述技術：將對于單晶SiC具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于單晶SiC錠的內部而對單晶SiC錠照射激光光線，在切斷預定面形成剝離層，以剝離層為起點將晶片從單晶SiC錠剝離(例如，參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開2000-94221號公報

專利文獻2：日本特開2016-111143號公報

專利文獻3：日本特開2011-060862號公報

但是，存在如下的問題：以剝離層為起點將晶片從錠剝離較困難，生產效率差。

另外，提出了下述技術：將對于Si(硅)具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于距離Si錠的端面相當于晶片的厚度的深度而對Si錠照射激光光線，在切斷預定面形成改質層，以改質層為起點將晶片從Si錠剝離(例如，參照上述專利文獻3)，但存在如下的問題：以改質層為起點將晶片從Si錠剝離較困難，生產效率差。

發明內容

鑒于上述事實而完成的本發明的課題在于提供剝離裝置，其能夠容易地以剝離層為起點將晶片從錠剝離。

為了解決上述課題，本發明所提供的是以下的剝離裝置。即，一種剝離裝置，其從將具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于相當于晶片的厚度的深度而照射激光光線從而形成有剝離層的錠將該晶片剝離，其中，該剝離裝置包含：錠保持單元，其使相當于該晶片的部分向上而對錠進行保持；超聲波振蕩單元，其振蕩出超聲波，該超聲波振蕩單元具有與相當于該晶片的部分面對的端面；水提供單元，其對相當于該晶片的部分與該超聲波振蕩單元的該端面之間提供水；以及剝離單元，其對相當于該晶片的部分進行吸引保持并將該晶片從錠剝離。