[發明專利]剝離裝置

有效

• 申請號: 201811414666.6
• 申請日: 2018-11-26
• 公開（公告）號: CN109834858B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 日野原和之;山本涼兵
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

1.一種剝離裝置，其從將具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于相當于晶片的厚度的深度而照射激光光線從而形成有剝離層的錠將該晶片剝離，其中，

該剝離裝置包含：

錠保持單元，其使錠的相當于該晶片的部分向上而對錠進行保持；

超聲波振蕩單元，其振蕩出超聲波，該超聲波振蕩單元具有與錠的相當于該晶片的部分面對的端面；

水提供單元，其對錠的相當于該晶片的部分與該超聲波振蕩單元的該端面之間提供水，從而在該錠的相當于該晶片的部分與該超聲波振蕩單元的該端面之間生成水層，借助該水層將超聲波傳遞至該錠；以及

剝離單元，其對錠的相當于該晶片的部分進行吸引保持并將該晶片從錠剝離。

2.根據權利要求1所述的剝離裝置，其中，

所述錠是單晶SiC錠，其具有c軸和與c軸垂直的c面，

所述剝離層由改質部和從改質部沿c面按照各向同性形成的裂紋構成，其中，所述改質部按照如下方式形成：將對于單晶SiC具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于距離單晶SiC錠的端面相當于該晶片的厚度的深度而對單晶SiC錠照射激光光線，使SiC分離成Si和C，從而形成該改質部。

3.根據權利要求2所述的剝離裝置，其中，

所述錠是c軸相對于端面的垂線傾斜并且通過c面和端面形成有偏離角的單晶SiC錠，

所述剝離層按照如下方式形成：在與形成有偏離角的方向垂直的方向上連續地形成改質部并且從改質部沿c面按照各向同性生成裂紋，在形成有偏離角的方向上在不超過裂紋的寬度的范圍內將單晶SiC錠與聚光點相對地進行轉位進給，從而在與形成有偏離角的方向垂直的方向上連續地形成改質部，并且從改質部沿c面按照各向同性依次生成裂紋，從而形成該剝離層。