[發明專利]一種監測緩沖腔體氧氣濃度的方法在審
| 申請號: | 201811410181.X | 申請日: | 2018-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN109541140A | 公開(公告)日: | 2019-03-29 |
| 發明(設計)人: | 呂偉偉;裴雷洪;嚴駿;石慶球 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G01N33/00 | 分類號: | G01N33/00 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 緩沖腔體 等離子氮化 緩沖腔 去耦合 腔體 氧氣 傳感器 體內 摻氮 機械手臂 監測 產品缺陷 傳送器件 實時監測 混入 | ||
本發明公開一種監測緩沖腔體氧氣濃度的方法,包括:一緩沖腔體,緩沖腔體內設有一機械手臂,機械手臂用于傳送器件;一去耦合等離子氮化腔體,去耦合等離子氮化腔體與緩沖腔體連接,去耦合等離子氮化腔體用于對器件進行摻氮工藝;一傳感器,傳感器與緩沖腔體連接,用于監測緩沖腔體內的氧氣濃度。本發明的有益效果在于:通過在緩沖腔體上連接一傳感器,對緩沖腔體內的氧氣濃度進行實時監測,以防緩沖腔體內氧濃度過高的氣體混入去耦合等離子氮化腔體,對摻氮工藝產生影響,進一步地避免因摻氮工藝不良而造成產品缺陷。
技術領域
本發明涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種監測緩沖腔體氧氣濃度的方法。
背景技術
在半導體制造的過程中,常需要用到去耦合等離子氮化(DecoupledPlasmaNitridation,簡稱DPN)工藝,DPN工藝是一種摻氮工藝,是對晶圓薄的氧化層進行氮化處理,只對氧化層的上表面進行摻氮,而不會影響到硅和氧化層的界面。
如圖1所示,在現有技術中,Buffer(緩沖腔體)通過隔離門與DPN腔體(去耦合等離子氮化腔體)連接,如果Buffer有漏點會混入氧氣,傳送裝置將晶圓從Buffer內傳送至DPN腔體時,Buffer內的隔離門打開,會使氧氣進入DPN腔體內,DPN腔體對氧氣濃度的要求非常高,如果氧氣濃度過高,會使晶圓在DPN工藝過程中產生雜質,導致晶圓表面的膜厚不均勻,進一步地影響晶圓的性能。
為了減少氧氣對DPN工藝的影響,現急需一種監測Buffer內氧氣濃度的方法,當Buffer內氧氣濃度過高時,可以及時停機檢查設備,保證產品的安全。
發明內容
針對現有技術中存在的上述問題,現提供一種監測緩沖腔體氧氣濃度的方法。
具體技術方案如下:
本發明包括一種監測緩沖腔體氧氣濃度的裝置,其中包括:
一緩沖腔體,所述緩沖腔體內設有一機械手臂,所述機械手臂用于傳送器件;
一去耦合等離子氮化腔體,所述去耦合等離子氮化腔體與所述緩沖腔體連接,所述去耦合等離子氮化腔體用于對所述器件進行摻氮工藝;
一傳感器,所述傳感器與所述緩沖腔體連接,用于監測所述緩沖腔體內的氧氣濃度。
優選的,所述傳感器包括氧氣分析儀。
優選的,所述傳感器通過一排氣管路與所述緩沖腔體連接。
優選的,所述機械手臂與一人機交互界面連接,所述人機交互界面用于控制所述機械手臂。
優選的,所述傳感器與所述人機交互界面連接,所述人機交互界面用于顯示所述緩沖腔體內氧氣濃度的具體數值。
優選的,所述緩沖腔體與一原位水汽生成設備連接,所述原位水汽生成設備用于進行低壓快速熱氧化退火工藝。
優選的,所述緩沖腔體與一等離子氮化退火腔體連接,所述等離子氮化退火腔體用于進行快速回火工藝。
優選的,所述緩沖腔體與一第一真空大氣交換裝置和一第二真空大氣交換裝置連接,所述第一真空大氣交換裝置與第二真空大氣交換裝置用于給所述緩沖腔體抽真空并維持所述緩沖腔體內的真空。
優選的,所述排氣管路的一端與所述緩沖腔體連接,所述排氣管路的另一端與一廠務工藝排風裝置連接。
本發明的有益效果在于:通過在緩沖腔體上連接一傳感器,對緩沖腔體內的氧氣濃度進行實時監測,以防緩沖腔體內氧濃度過高的氣體混入去耦合等離子氮化腔體,對摻氮工藝產生影響,進一步地避免因摻氮工藝不良而造成產品缺陷。
附圖說明
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