[發明專利]一種半導體器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201811409840.8
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN109411354A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 趙背生
• 申請（專利權）人: 深圳真茂佳半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

在半導體襯底(101)上形成的溝槽(112)的底部和壁形成第一隔離層(116)；

在第一隔離層(116)上沉積半導體材料，形成屏蔽柵(SG)，通過光刻掩模保留半導體材料形成屏蔽柵(SG)的引出柵(DG)；

在屏蔽柵(SG)之上形成第二隔離層(145)；

在第二隔離層(145)上順序形成控制柵(CG)和源極(S)；

在形成高頻半導體器件的情況下和形成可靠型半導體器件的情況下，分別將引出柵(DG)與源極(S)接合、和與控制柵(CG)接合。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在半導體襯底(101)上形成的溝槽(112)的底部和壁形成第一隔離層(116)之前，所述方法還包括：

在半導體襯底(101)通過刻蝕形成溝槽(112)。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第二隔離層(145)上順序形成控制柵(CG)和源極(S)，包括：

在第二隔離層(145)上沉積半導體材料，形成控制柵(CG)；

在兩個相鄰溝槽之間通過離子注入，形成P-N結結構(160，170)；

在控制柵(CG)和P-N結結構(160，170)上方淀積隔離介質并通過光刻，形成從半導體襯底(101)上表面垂直向下延伸的連接區(303)；

在半導體襯底(101)上表面之上形成源極(S)。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在第二隔離層(145)上沉積半導體材料，形成控制柵(CG)之后，所述方法還包括：

刻蝕控制柵(CG)，使得控制柵(CG)的頂部與溝槽(112)的頂部齊平。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在連接區(303)之上形成源極(S)，包括：

在連接區(303)之上填充鎢，濺射鋁，形成源極(S)。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一隔離層是隔離厚氧。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一隔離層的厚度是500A-20000A。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成屏蔽柵(SG)的半導體材料是多晶硅。

9.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成控制柵(CG)的半導體材料是多晶硅。

10.一種半導體器件，其特征在于，包括：源極(S)、控制柵(CG)、屏蔽柵(SG)和從屏蔽柵(SG)引出半導體器件表面的引出柵(DG)，所述屏蔽柵(SG)與源極(S)和控制柵(CG)分別隔離，所述引出柵(DG)與源極(S)接合，或者與控制柵(CG)接合，以形成高頻半導體器件、或可靠型半導體器件。