[發(fā)明專利]一種用于廢棄胚胎囊胚發(fā)育的培養(yǎng)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811407107.2 | 申請日: | 2018-11-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111218400A | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秦建華;蘇文濤;陳雯雯 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | C12M3/00 | 分類號(hào): | C12M3/00;C12N5/073 |
| 代理公司: | 沈陽晨創(chuàng)科技專利代理有限責(zé)任公司 21001 | 代理人: | 鄭虹 |
| 地址: | 116023 *** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 廢棄 胚胎 囊胚 發(fā)育 培養(yǎng) 方法 | ||
1.一種用于廢棄胚胎囊胚發(fā)育的微流控芯片,其特征在于:該芯片為凹陷陣列結(jié)構(gòu)的“倒金字塔型”或“倒V型”芯片,且芯片表面涂覆有Pluronic F-127,所述“倒金字塔型”或者“倒V型”凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有一定的傾斜角度,接種胚胎后,在傾斜側(cè)壁的作用下,迫使細(xì)胞聚集在凹陷結(jié)構(gòu)的底部,可實(shí)現(xiàn)快速、高效、高通量、自動(dòng)捕獲單胚胎并進(jìn)行原位培養(yǎng)以及分析評(píng)價(jià)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于廢棄胚胎囊胚發(fā)育的微流控芯片,其特征在于:所制備微流控芯片的材質(zhì)為聚合物材料,具體為PDMS、PMMA或PS;所述所述凹陷結(jié)構(gòu)邊長為100μm~400μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于廢棄胚胎囊胚發(fā)育的微流控芯片的制備方法,其特征在于按照一下步驟進(jìn)行:
(1)“倒金字塔型”或“倒V型”芯片的制備;
(2)Pluronic F-127的涂覆。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于廢棄胚胎囊胚發(fā)育的微流控芯片的制備方法,其特征在于所述“倒金字塔型”或“倒V型”芯片的制備,按照以下步驟進(jìn)行:
(1)在玻璃或硅片基底表面旋涂200-800微米厚的SU-8光刻膠,95℃前烘2-8小時(shí),
(2)將邊長為200-400微米的正方形的陣列掩膜固定于含有光刻膠的基底表面,并置于可以調(diào)節(jié)傾斜角度以及自由旋轉(zhuǎn)的平臺(tái)上,
(3)紫外曝光時(shí),可以調(diào)節(jié)平臺(tái)的傾斜角度(15-75度),同時(shí)每次曝光后平臺(tái)可以以45度或90度的轉(zhuǎn)角旋轉(zhuǎn)后進(jìn)行下一次曝光,
(4)95℃后烘10-30分鐘,自然冷卻后用丙二醇甲醚醋酸酯溶掉未曝光的SU-8膠,形成具有“倒金字塔”樣的陣列模板,
(5)180℃堅(jiān)膜2小時(shí),最后用此模板制備不同聚合物組成的微流控芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于廢棄胚胎囊胚發(fā)育的微流控芯片的制備方法,其特征在于所述Pluronic F-127的涂覆,按照以下步驟進(jìn)行:1)將微流控芯片在無水乙醇中浸泡15-40min,用去離子水沖洗,真空干燥,備用;
2)將清洗好的微流控芯片放入等離子發(fā)生器中,抽真空至0-1Pa,通入氧氣至10-200Pa,調(diào)整放電功率在5-300W,進(jìn)行射頻放電0.5-10min;
3)在真空狀態(tài)下將一定體積的Pluronic F-127涂覆在芯片表面,孵育2-6小時(shí)(37℃)或者12-24小時(shí)(4℃);
4)棄去步驟3)芯片表面溶液,并用無菌去離子水沖洗3遍,干燥,封裝,即得。
6.一種用于廢棄胚胎囊胚發(fā)育的培養(yǎng)方法,其特征在于,采用權(quán)利要求1所述的微流控芯片,按照一下步驟進(jìn)行:
A.取得保存在胚胎庫中的在體外授精或單精注射后第三天的不適宜進(jìn)行胚胎移植或冷凍的低質(zhì)量胚胎;
B.將該胚胎置于微流控芯片中進(jìn)行培養(yǎng),胚胎懸液以1×103個(gè)/mL的胚胎密度加入芯片表面,利用負(fù)壓驅(qū)動(dòng)和重力作用,將單個(gè)胚胎引入單個(gè)捕獲阱內(nèi);待胚胎沉降至捕獲阱底部凹陷,在上面覆蓋新鮮培養(yǎng)基,并覆蓋礦物油以防止蒸發(fā),37℃、5%CO2、飽和濕度培養(yǎng)箱內(nèi);
C.將廢棄胚胎在上述胚胎微流控芯片中培養(yǎng)5-6天,每兩天進(jìn)行培養(yǎng)基更換,為胚胎補(bǔ)加營養(yǎng)物質(zhì),排出代謝廢物;每天觀察胚胎發(fā)育情況直至第7天,并且對(duì)形成的囊胚進(jìn)行分級(jí),分級(jí)方法參照Gardner的囊胚分級(jí)法。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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