[發(fā)明專利]一種紅外多晶薄壁零件的表面加工方法及其加工設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811405695.6 | 申請日: | 2018-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN109454542A | 公開(公告)日: | 2019-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王貴林;李完小;李嘉祥;向紀邦;曾心 | 申請(專利權(quán))人: | 湖南航天環(huán)宇通信科技股份有限公司 |
| 主分類號: | B24B29/02 | 分類號: | B24B29/02;B24B49/12;C30B33/00;C30B29/10 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王術(shù)蘭 |
| 地址: | 410205 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄壁零件 多晶 表面加工 加工設(shè)備 改性層 去除 形貌 改性參數(shù) 谷粒 電子束 有效控制材料 表面粗糙度 非晶化處理 表層材料 材料性能 光學(xué)加工 拋光 柔性盤 再利用 改性 減小 面形 | ||
本發(fā)明提供了一種紅外多晶薄壁零件的表面加工方法及其加工設(shè)備,涉及光學(xué)加工技術(shù)領(lǐng)域,在通過計算并設(shè)定得到改性參數(shù)后,通過電子束改性依據(jù)設(shè)定的改性參數(shù)實現(xiàn)了紅外多晶薄壁零件表層材料的非晶化處理并得到改性層,再利用柔性盤精確去除改性層,使得改性層的材料性能、去除速度接近一致,抑制了谷粒形貌的出現(xiàn),從而提高了拋光面形精度,減小了表面粗糙度,改善了紅外多晶薄壁零件的表面質(zhì)量。相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明提供的一種紅外多晶薄壁零件的表面加工方法及其加工設(shè)備,能夠有效控制材料去除層深度和表面谷粒形貌,提高紅外多晶薄壁零件的表面質(zhì)量。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光學(xué)加工技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種紅外多晶薄壁零件的表面加工方法及其加工設(shè)備。
背景技術(shù)
紅外多晶材料與單晶材料的光學(xué)性能幾乎一致,由于不存在解理面,機械強度、抗熱沖擊能力和經(jīng)濟性更為優(yōu)越,因此在很多領(lǐng)域開始取代單晶材料。適于批量生產(chǎn)的紅外多晶薄壁零件材料主要有氮氧化鋁、鋁酸鎂、氟化鎂等,厚度只有數(shù)毫米。其中氮氧化鋁的抗熱沖擊品質(zhì)因子為70,具有極強的耐化學(xué)腐蝕能力,透過波段覆蓋紫外光、可見光、紅外光到毫米波,成為紅外窗口和整流罩的理想材料之一。
為了在復(fù)雜的熱力學(xué)環(huán)境下實現(xiàn)高質(zhì)量成像,紅外多晶薄壁零件除了具有設(shè)計的光學(xué)面形外,還要求表面質(zhì)量好,并對加工應(yīng)力、亞表層損傷提出了嚴格要求。
紅外多晶薄壁零件采用研磨、拋光方法進行精密加工。在成形加工階段,通過剛性盤來提高加工效率,此時紅外多晶薄壁零件表面形狀的可控性較好;到了精密修形階段,采用柔性盤來進一步改善面形精度,柔性盤對光學(xué)表面的適配性好、殘余應(yīng)力小,能夠提升加工質(zhì)量,并消除剛性盤產(chǎn)生的亞表層損傷。紅外多晶薄壁零件在加工過程中存在的主要問題有:
1、采用剛性盤加工時,為了避免紅外多晶薄壁零件的應(yīng)力破壞,施加的作用力比較小,導(dǎo)致材料去除效率低;此外剛性盤加工可能在零件表面留下較深的劃痕,后續(xù)工藝無法完全去除,導(dǎo)致表面質(zhì)量不理想,而且殘留的加工應(yīng)力影響了紅外多晶薄壁零件的熱力學(xué)、光學(xué)性能。
2、去除余量較小時采用柔性盤拋光,盤面在拋光力的作用下容易變形,對加工面的可控性較差;為了滿足精度要求,需要反復(fù)執(zhí)行“剛性盤控形+柔性盤改善表面質(zhì)量”的工藝過程,導(dǎo)致加工效率低、制造成本高,甚至出現(xiàn)廢品;同時因為去除量小,柔性盤無法完全消除剛性盤加工所產(chǎn)生的亞表層損傷,影響使用性能。
3、去除余量較大時采用柔性盤拋光,由于紅外多晶零件表面的顯微硬度不一致,柔性盤在不同區(qū)域的微觀退讓現(xiàn)象會導(dǎo)致零件表面各點的材料去除速度不相同,產(chǎn)生谷粒狀起伏形貌;并且拋光盤柔性越大,谷粒效應(yīng)越明顯。氮氧化鋁、鋁酸鎂、氟化鎂、硫化鋅等紅外材料均具有這種現(xiàn)象,其中氮氧化鋁的谷粒效應(yīng)很明顯,特征尺度為150~250μm。為了消除或控制紅外多晶材料的谷粒形貌,國內(nèi)外學(xué)者在工藝方面開展了深入研究,但到目前為止還沒有找到有效的技術(shù)途徑。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種紅外多晶薄壁零件的表面加工方法,能夠有效控制材料去除層深度和表面谷粒形貌,提高紅外多晶薄壁零件的表面質(zhì)量。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種紅外多晶薄壁零件的表面加工設(shè)備,能夠有效控制材料去除層深度和表面谷粒形貌,提高紅外多晶薄壁零件的表面質(zhì)量。
本發(fā)明是采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)的。
一種紅外多晶薄壁零件的表面加工方法,包括以下步驟:
確立改性參數(shù);
依據(jù)改性參數(shù)對紅外多晶薄壁零件進行電子束改性處理,實現(xiàn)表層材料的非晶化并得到改性層;
定量拋光去除改性層;
檢測紅外多晶薄壁零件的表面質(zhì)量并進行面形檢測。
進一步地,上述確立改性參數(shù)的步驟,具體包括:
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