[發明專利]一種紅外多晶薄壁零件的表面加工方法及其加工設備

在審

• 申請號: 201811405695.6
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN109454542A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 王貴林;李完小;李嘉祥;向紀邦;曾心
• 申請（專利權）人: 湖南航天環宇通信科技股份有限公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;B24B49/12;C30B33/00;C30B29/10
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 王術蘭

1.一種紅外多晶薄壁零件的表面加工方法，其特征在于，包括以下步驟：

確立改性參數；

依據所述改性參數對紅外多晶薄壁零件進行電子束改性處理，實現表層材料的非晶化并得到改性層；

定量拋光去除所述改性層；

檢測所述紅外多晶薄壁零件的表面質量并進行面形檢測。

2.根據權利要求1所述的紅外多晶薄壁零件的表面加工方法，其特征在于，所述確立改性參數的步驟，具體包括：

確定所述紅外多晶薄壁零件表層材料的最小去除深度；

依據所述最小去除深度得到所述改性參數。

3.根據權利要求2所述的紅外多晶薄壁零件的表面加工方法，其特征在于所述確定所述紅外多晶薄壁零件表層材料的最小去除深度的步驟，具體包括：

根據紅外多晶薄壁零件的表面誤差值并結合單位時間內的材料去除率，得到所述最小去除深度。

4.根據權利要求3所述的紅外多晶薄壁零件的表面加工方法，其特征在于，所述材料去除率為：

其中，為所述紅外多晶薄壁零件在深度方向的材料去除率，P為拋光壓力，Q為拋光面積，為相對運動速度，K為比例常數。

5.根據權利要求2所述的紅外多晶薄壁零件的表面加工方法，其特征在于，所述依據所述最小去除深度得到所述改性參數的步驟，具體包括：

確立所述改性層的理論深度；

依據理論深度大于或等于最小去除深度，設計得到改性參數。

6.根據權利要求5所述的紅外多晶薄壁零件的表面加工方法，其特征在于，所述理論深度為：

其中，r_e為所述改性層的理論深度，U為改性過程中的加速電壓，ρ為所述紅外多晶薄壁零件的密度，n為改性次數，X為常數。

7.根據權利要求1所述的紅外多晶薄壁零件的表面加工方法，其特征在于，所述依據所述改性參數對紅外多晶薄壁零件進行電子束改性處理，實現表層材料的非晶化并得到改性層的步驟，具體包括：

利用電子束改性設備，根據所述改性參數對所述紅外多晶薄壁零件的表面進行照射，照射觸發間隔時間為20～30秒，得到分布均勻的改性層。

8.根據權利要求1所述的紅外多晶薄壁零件的表面加工方法，其特征在于，所述定量拋光去除所述改性層的步驟，具體包括：

通過對拋光路徑和駐留時間進行設定，利用柔性盤拋光去除所述改性層。

9.根據權利要求1所述的紅外多晶薄壁零件的表面加工方法，其特征在于，所述檢測所述紅外多晶薄壁零件的表面質量并進行面形檢測的步驟，具體包括：

利用白光干涉儀或輪廓儀檢測所述紅外多晶薄壁零件的表面粗糙度；

利用波面干涉儀或高精度三坐標測量機檢測所述紅外多晶薄壁零件的面形誤差。

10.一種紅外多晶薄壁零件的加工設備，其特征在于，包括：

電子束改性設備，用于依據改性參數對紅外多晶薄壁零件進行電子束改性處理，實現表層材料的非晶化并得到改性層；

拋光柔性盤，用于定量拋光去除所述改性層；

光學檢測儀器組，用于檢測所述紅外多晶薄壁零件的表面質量并進行面形檢測。