[發(fā)明專利]一種硅基底長(zhǎng)波通紅外濾光片及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811405415.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110146948B | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙中亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海歐菲爾光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B5/20 | 分類號(hào): | G02B5/20 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 200434 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基底 長(zhǎng)波 通紅 濾光 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種硅基底上的長(zhǎng)波通紅外濾光片,該濾光片使用了鍺(Ge)作為高折射率鍍膜材料、硫化鋅(ZnS)作為低折射率鍍膜材料,使用PVD方法進(jìn)行光學(xué)薄膜鍍制,并且采用離子源輔助沉積與合適的材料蒸發(fā)等特定工藝條件,在基底的兩個(gè)表面分別沉積28層和44層非規(guī)整的膜層。該濾光片可以使得在1~7μm波長(zhǎng)區(qū)間內(nèi)基本不透光,透過(guò)率1%,在8~14μm波長(zhǎng)區(qū)間具有良好的透光效果,平均透過(guò)率>85%??梢杂行岣叻侵评浼t外焦平面探測(cè)器的光學(xué)效率,并且適合在晶圓級(jí)光學(xué)封裝窗口中應(yīng)用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及紅外光學(xué)薄膜技術(shù),具體指一種以單晶硅為基底的對(duì)波長(zhǎng)為1~7μm 范圍內(nèi)的紅外光進(jìn)行截止,8~14μm范圍內(nèi)的紅外光進(jìn)行透射的長(zhǎng)波通紅外濾光片。
背景技術(shù)
光學(xué)濾光片是用來(lái)選取所需輻射波段的光學(xué)器件。長(zhǎng)波通濾光片對(duì)長(zhǎng)于選定波長(zhǎng)的光通過(guò),短于該波長(zhǎng)的光截止。在光學(xué)元件中,由于元件表面的反射作用而使光能損失,為了減少元件表面的反射損耗,常在光學(xué)元件表面沉積透明介質(zhì)薄膜,使得元件在特定波長(zhǎng)范圍內(nèi)達(dá)到減反增透的效果。而在其他波長(zhǎng)范圍內(nèi),則起到增反減透,即截止的作用。由于鍍膜技術(shù)的不斷發(fā)展,長(zhǎng)波通濾光片作為一種非常實(shí)用的光學(xué)薄膜產(chǎn)品,已經(jīng)廣泛應(yīng)用到工業(yè)、農(nóng)業(yè)、科研、軍事等領(lǐng)域的多種紅外測(cè)溫和成像器件中。
電磁波輻射在大氣傳輸中透過(guò)率較高的波段稱為大氣窗口,紅外大氣窗口主要包括近紅外(0.78~1μm)、短波紅外(1~2.5μm)、中波紅外(3~5μm)、長(zhǎng)波紅外(8~14μm)。紅外成像技術(shù)的發(fā)展是先從長(zhǎng)波紅外開始,之后才逐步擴(kuò)展到中波紅外和短波紅外。在選擇紅外熱成像儀工作波段時(shí),遵循的原則就是最多利用紅外輻射能量,利用大氣紅外透射窗口。實(shí)驗(yàn)表明探測(cè)-73℃~+349℃溫度范圍的物體,以選擇長(zhǎng)波紅外有利。這個(gè)溫度范圍包括了大多數(shù)物體的溫度,因此大量應(yīng)用在我們的生產(chǎn)和生活中。
硅具有優(yōu)良的紅外光學(xué)特性和物理特性,由于硅晶體在大氣中對(duì)1.5~14μm波段紅外光具有良好的透明性,且成本低,是紅外熱像儀理想的窗口材料。隨著晶圓級(jí)封裝技術(shù)成為近兩年走向?qū)嵱玫囊环N新型紅外探測(cè)器封裝技術(shù),需要制造與微測(cè)輻射熱計(jì)晶圓相對(duì)應(yīng)的另一片硅窗晶圓,因此硅基濾光片的應(yīng)用前景非常廣闊,在紅外光學(xué)領(lǐng)域具有不可替代的地位。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出設(shè)計(jì)了硅基底上的一種長(zhǎng)波通紅外濾光片,可以使用在紅外測(cè)溫和熱成像設(shè)備中以提高信噪比,改善光學(xué)系統(tǒng)性能,提高探測(cè)器響應(yīng)。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:在雙面拋光的單晶硅基片的兩個(gè)表面分別交替沉積Ge和ZnS膜層。
本發(fā)明的濾光片由正面膜系(1)、基片(2)和背面膜系(3)組成,在硅基底的一面沉積正面膜系(1),在硅基底的另一面沉積反面膜系(3)。
正面膜系(1)的膜系結(jié)構(gòu)為。
基底/0.137H 0.284L 0.348H 0.495L 0.258H 0.564L 0.192H 0.547L 0.294H0.492L 0.312H 0.463L 0.208H 0.606L 0.318H 0.494L 0.502H 0.614L 0.310H 0.771L0.464H 0.488L 0.367H 0.980L 0.296H 0.440L 0.602H 1.254L/空氣。
反面膜系(3)的膜系結(jié)構(gòu)為。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海歐菲爾光電技術(shù)有限公司,未經(jīng)上海歐菲爾光電技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811405415.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種寬帶光纖放大器
- 超長(zhǎng)波溫?zé)峋陌茨ζ?/a>
- 適合于地影區(qū)目標(biāo)觀測(cè)及測(cè)溫的望遠(yuǎn)鏡長(zhǎng)波紅外成像系統(tǒng)
- 一種紅外雙波段共孔徑折反射成像系統(tǒng)
- 利用短波輻射估算長(zhǎng)波凈輻射和下行輻射的方法和裝置
- 一種紅外雙光譜共型變倍鏡頭
- 中長(zhǎng)波激光末段柔性傳輸裝置
- 用于SF6氣體泄漏的長(zhǎng)波紅外雙色成像監(jiān)測(cè)系統(tǒng)
- 一種銻化物超晶格甚長(zhǎng)波紅外探測(cè)器中抑制擴(kuò)散暗電流的結(jié)構(gòu)
- 長(zhǎng)波紅外與可見(jiàn)光共孔徑復(fù)合成像相機(jī)及系統(tǒng)





