[發(fā)明專利]一種硅基底長波通紅外濾光片及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811405415.1 | 申請日： | 2018-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN110146948B | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙中亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海歐菲爾光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G02B5/20 | 分類號： | G02B5/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 200434 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基底 長波 通紅 濾光 及其 制備 方法 | ||
1.一種硅基底上的長波通紅外濾光片，其結(jié)構(gòu)為：在基底的正面沉積正面膜系(1)，在基底的另一面沉積反面膜系(3)，其特征在于：
所述的正面膜系(1)的膜系結(jié)構(gòu)為：
基底/0.137H 0.284L 0.348H 0.495L 0.258H 0.564L 0.192H 0.547L 0.294H0.492L0.312H 0.463L 0.208H 0.606L 0.318H 0.494L 0.502H 0.614L 0.310H 0.771L0.464H0.488L 0.367H 0.980L 0.296H 0.440L 0.602H 1.254L/空氣；
所述的反面膜系(3)的膜系結(jié)構(gòu)為：
基底/0.122H 0.197L 0.145H 0.164L 0.135H 0.219L 0.116H 0.259L 0.122H0.250L0.123H 0.186L 0.128H 0.210L 0.140H 0.239L 0.199H 0.324L 0.133H 0.279L0.184H0.338L 0.140H 0.238L 0.225H 0.277L 0.158H 0.413L 0.156H 0.464L 0.125H0.520L0.292H 0.255L 0.243H 0.271L 0.274H 0.533L 0.102H 0.505L 0.268H 0.286L0.686H1.155L/空氣；
其中，H表示一個λ0/4光學(xué)厚度的Ge膜層，L表示一個λ0/4光學(xué)厚度的ZnS膜層，λ0為中心波長，H與L前的數(shù)字為膜層的厚度比例系數(shù)。
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