[發明專利]形成三維存儲器的方法

有效

• 申請號: 201811404852.1
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN109524410B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 肖莉紅;胡斌
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種形成三維存儲器的方法，包括：

提供半導體結構，所述半導體結構具有第一襯底、位于第一襯底上的堆疊的第一堆棧以及穿過所述第一堆棧的多個第一溝道層；

通過圖案化剝離層形成導電圖案層，所述剝離層形成于第二襯底的表面，且所述剝離層的材料為單晶硅，所述導電圖案層包括多個相互隔離的中間導電部；

將所述導電圖案層與所述第一堆棧鍵合；

形成覆蓋所述導電圖案層的第二堆棧；

形成穿過所述第二堆棧的多個第二溝道層，每一第二溝道層通過中間導電部電連接至對應的第一溝道層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用等離子體注入工藝在第二襯底的表面形成剝離層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述等離子體為氫等離子體。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多個第二溝道層的底部包括硅外延層，所述硅外延層的至少一部分嵌入所述中間導電部。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一溝道層的底部包括硅外延層，所述第一溝道層和所述第二溝道層底部的硅外延層的材料為硅。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二溝道層的中心線與所述第一溝道層的中心線對齊。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，采用光學對準法對齊所述第二溝道層的中心線與所述第一溝道層的中心線。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述多個中間導電部之間形成有隔離所述多個中間導電部的層間絕緣層，所述層間絕緣層的材料為絕緣材料。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述導電圖案層和所述層間絕緣層是平坦的。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述絕緣材料為氧化硅。