[發明專利]光照射裝置及薄膜形成裝置

在審

• 申請號: 201811404713.9
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN109887859A
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: 柿村崇;北村嘉孝
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/368
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

本發明提供一種可使氧化銦前驅物良好地活化的光照射裝置及薄膜形成裝置。所述光照射裝置從多個準分子燈(51)對形成有包含氧化銦前驅物的涂布膜的基板(W)照射紫外線。多個準分子燈(51)與基板(W)的照射間隔(d)明顯比多個準分子燈(51)的排列間隔(p)短。照射間隔(d)為2mm以上且10mm以下。將多個準分子燈(51)與基板(W)之間的空間設為大氣環境。使基板(W)相對于多個準分子燈(51)滑動移動，由此在含有氧的環境中將紫外線均勻地照射在基板(W)上的涂布膜上，而使涂布膜中所含有的氧化銦前驅物良好地光學活化。

技術領域

本發明涉及一種對用于半導體用途的形成有包含氧化銦的前驅物的涂布膜的基板照射紫外線來使此氧化銦前驅物光學活化的光照射裝置、以及包括此光照射裝置的薄膜形成裝置。

背景技術

典型的是在使氧化銦等金屬氧化物的薄膜成膜時使用濺鍍技術。在濺鍍技術中，在真空腔室內使氬等的離子碰撞靶材，并使已被打出的粒子堆積在基板的表面上而使薄膜成膜。但是，濺鍍技術除需要產生高真空的裝置以外，具有如下的缺點：當使金屬氧化膜成膜時，產生氧缺位(oxygen vacancy)且薄膜的特性下降。另外，在濺鍍技術中，也存在難以調整薄膜的組成比這一問題。

因此，正在研究使用液相法來制造金屬氧化物的薄膜。例如，在專利文獻1、專利文獻2中提出有如下的技術：將含有氧化銦前驅物的組合物涂布在基板上，對所述組合物照射規定波長范圍的紫外線后，通過熱來將組合物轉換成含有氧化銦的層。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2011/073005號

[專利文獻2]國際公開第2012/062575號

發明內容

[發明所要解決的問題]

對含有氧化銦前驅物的組合物照射紫外線是為了使此氧化銦前驅物光學活化，在專利文獻1、專利文獻2中揭示有使用低壓水銀燈照射紫外線。但是，從低壓水銀燈中照射的紫外線的能量低，因此存在無法使氧化銦前驅物充分地活化這一問題。

本發明是鑒于所述課題而成者，其目的在于提供一種可使氧化銦前驅物良好地活化的光照射裝置及薄膜形成裝置。

[解決問題的技術手段]

為了解決所述課題，技術方案1的發明是一種對形成有包含氧化銦前驅物的涂布膜的基板照射紫外線來使此氧化銦前驅物光學活化的光照射裝置，包括：多個棒狀的準分子燈，沿著規定方向相互平行地排列；以及移動部，使所述基板相對于多個所述準分子燈，沿著所述規定方向相對地移動；且多個所述準分子燈與通過所述移動部而移動的所述基板的照射間隔比多個所述準分子燈的排列間隔短。

另外，技術方案2的發明是根據技術方案1的發明的光照射裝置，所述照射間隔為2mm以上且10mm以下。

另外，技術方案3的發明是根據技術方案1或技術方案2的發明的光照射裝置，所述移動部使所述基板相對于多個所述準分子燈往返移動。

另外，技術方案4的發明是根據技術方案1至技術方案3的任一者的發明的光照射裝置，將多個所述準分子燈與通過所述移動部而移動的所述基板之間設為含有氧的環境。

另外，技術方案5的發明是根據技術方案4的發明的光照射裝置，所述環境中的氧濃度為15％以上且20％以下。

另外，技術方案6的發明是一種形成包含氧化銦的薄膜的薄膜形成裝置，包括：涂布處理部，將含有氧化銦前驅物的涂布液涂布在基板上而在所述基板上形成涂布膜；技術方案1至技術方案5的任一者中記載的光照射裝置；以及熱處理部，對通過所述光照射裝置而使所述氧化銦前驅物光學活化的所述基板進行加熱來使所述氧化銦前驅物熱活化。