[發明專利]光照射裝置及薄膜形成裝置在審
| 申請號: | 201811404713.9 | 申請日: | 2018-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN109887859A | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發明(設計)人: | 柿村崇;北村嘉孝 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/368 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬爽;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區堀川通寺之內上*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 準分子燈 基板 光照射裝置 照射 前驅物 涂布膜 氧化銦 薄膜形成裝置 紫外線 大氣環境 光學活化 滑動移動 排列間隔 活化 | ||
1.一種光照射裝置,其是對形成有包含氧化銦前驅物的涂布膜的基板照射紫外線來使所述氧化銦前驅物光學活化的光照射裝置,其特征在于包括:
多個棒狀的準分子燈,沿著規定方向相互平行地排列;以及
移動部,使所述基板相對于多個所述準分子燈,沿著所述規定方向相對地移動;且
多個所述準分子燈與通過所述移動部而移動的所述基板的照射間隔比多個所述準分子燈的排列間隔短。
2.根據權利要求1所述的光照射裝置,其特征在于,
所述照射間隔為2mm以上且10mm以下。
3.根據權利要求1或2所述的光照射裝置,其特征在于,
所述移動部使所述基板相對于多個所述準分子燈往返移動。
4.根據權利要求1或2所述的光照射裝置,其特征在于,
將多個所述準分子燈與通過所述移動部而移動的所述基板之間設為含有氧的環境。
5.根據權利要求4所述的光照射裝置,其特征在于,
所述環境中的氧濃度為15%以上且20%以下。
6.一種薄膜形成裝置,其是形成包含氧化銦的薄膜的薄膜形成裝置,其特征在于包括:
涂布處理部,將含有氧化銦前驅物的涂布液涂布在基板上而在所述基板上形成涂布膜;
根據權利要求1至5中任一項所述的光照射裝置;以及
熱處理部,對通過所述光照射裝置而使所述氧化銦前驅物光學活化的所述基板進行加熱來使所述氧化銦前驅物熱活化。
7.根據權利要求6所述的薄膜形成裝置,其特征在于還包括:
搬入搬出部,搬入未處理的基板,并且搬出處理完的基板;以及
搬送機器人,針對所述搬入搬出部、所述涂布處理部、所述熱處理部及所述光照射裝置搬送基板;且
在所述搬送機器人的周圍配置所述搬入搬出部、所述涂布處理部、所述熱處理部及所述光照射裝置。
8.根據權利要求6所述的薄膜形成裝置,其特征在于還包括:
搬入部,搬入未處理的基板;
搬出部,搬出處理完的基板;
第1搬送機器人,針對所述搬入部、所述涂布處理部及所述光照射裝置搬送基板;以及
第2搬送機器人,針對所述光照射裝置、所述熱處理部及所述搬出部搬送基板;且
在所述第1搬送機器人與所述第2搬送機器人之間配置所述光照射裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





