[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光材料及器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811402365.1
• 申請(qǐng)日: 2018-11-22
• 公開（公告）號(hào): CN110256439B
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫恩濤;劉叔堯;馮嘉寧;吳俊宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京鼎材科技有限公司
• 主分類號(hào): C07D487/04
• 分類號(hào): C07D487/04;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 北京市創(chuàng)世宏景專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11493
• 代理人: 崔永華

本發(fā)明涉及一種化合物，其特征在于，具有如式(1)所示的結(jié)構(gòu)式：，其中，L為單鍵、C6～C30的亞芳基或者C3～C30的亞雜芳基；m為1～4的整數(shù)；R¹和R²各自獨(dú)立的為H、C6～C30的芳基或者C3～C30的雜芳基；Ar為以下結(jié)構(gòu)：，X¹～X⁶為C、CR³或者N，且至少一個(gè)X為N，R³為H或者含0～3個(gè)雜原子的C3～C30的芳基或雜芳基，若存在多個(gè)R³時(shí)，多個(gè)R³彼此相同或不同。本發(fā)明還涉及含有該化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種新的有機(jī)雜環(huán)化合物，尤其涉及一類含有喹唑啉并三氮唑這種缺電子基團(tuán)結(jié)構(gòu)的化合物，及其在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。

背景技術(shù)

目前隨著OLED技術(shù)在顯示和照明兩大領(lǐng)域的不斷推進(jìn)，人們對(duì)于其核心材料的研究更加關(guān)注。作為核心材料，常見的功能化有機(jī)材料有：空穴注入材料、空穴傳輸材料、空穴阻擋材料、電子注入材料、電子傳輸材料，電子阻擋材料以及發(fā)光主體材料和發(fā)光客體(染料)等。

一般來說，電子傳輸材料都是具有缺電子的含氮雜環(huán)基團(tuán)的化合物，它們大多具有較高的電子親和勢(shì)，因而有較強(qiáng)的接受電子的能力，但是相對(duì)于空穴傳輸材料，常見的電子傳輸材料例如AlQ₃(八羥基喹啉鋁)的電子遷移率要遠(yuǎn)低于空穴傳輸材料的空穴遷移率，因而在OLED器件中一方面會(huì)導(dǎo)致因載流子的注入和傳輸不均衡引起的空穴與電子的復(fù)合概率降低，從而降低器件的發(fā)光效率，另一方面具有較低電子遷移率的電子傳輸材料會(huì)導(dǎo)致器件的工作電壓升高，從而影響功率效率，對(duì)能源的節(jié)約不利。

在目前OLED屏體廠商中，廣泛地使用Liq(八羥基喹啉鋰)摻雜到ET材料層中的技術(shù)手段，來實(shí)現(xiàn)器件的低電壓和高效率，并且有提高器件壽命的作用。Liq的作用主要在于能夠在陰極注入的電子作用下還原出微量的金屬鋰，從而起到對(duì)電子傳輸材料進(jìn)行n-摻雜的效果，從而使得電子的注入效果顯著提升，另一方面，鋰離子會(huì)通過與電子傳輸材料中N原子的配位作用，起到提高ET材料電子遷移率的作用，從而使得Liq摻雜ET的器件具有低的工作電壓和高的發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

然而，業(yè)界常用的ET搭配LiQ的技術(shù)方案仍存在不足之處。一方面，LiQ對(duì)水和環(huán)境敏感導(dǎo)致工藝復(fù)雜性提高，不利于設(shè)備的設(shè)計(jì)制造成本的降低；另一方面，材料的使用種類較多，不利于材料成本的降低。

為了解決上述問題，進(jìn)一步滿足對(duì)OLED器件的光電性能不斷提升的需求，以及移動(dòng)化電子器件對(duì)于節(jié)能的需求，需要不斷地開發(fā)新型的、高效的OLED材料，其中開發(fā)新的具有高電子注入能力和高遷移率的電子傳輸材料具有很重要的意義。

基于此，本發(fā)明的目的在于，提供一類用于有機(jī)電致發(fā)光器件的新的化合物，以滿足對(duì)OLED器件的光電性能不斷提升的需求。

解決問題的方案

為解決上述問題，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過深入研究，提出一類新型的可用于有機(jī)電致發(fā)光器件的化合物和使用該化合物的器件。該化合物含有喹唑啉并三氮唑結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)將其作為電子傳輸材料引入有機(jī)電致發(fā)光器件中，可實(shí)現(xiàn)良好的電子注入和傳輸性能。

具體而言，作為本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種由如下通式(1)表示的化合物，

其中，L為單鍵、取代或未取代的C6～C30的亞芳基或者取代或未取代的C3～C30的亞雜芳基，所述取代基選自C1～C10的烷基、C6～C14的芳基或者C3～C14的雜芳基；m為1～4的整數(shù)；R¹和R²各自獨(dú)立的為H、C6～C30的芳基或者C3～C30的雜芳基；Ar為以下結(jié)構(gòu)：