[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811398810.1
• 申請日: 2018-11-22
• 公開（公告）號: CN109817777B
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賴煥友;彭立琪
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體元件，其包含︰一第一半導(dǎo)體層；位于第一半導(dǎo)體層上的一第二半導(dǎo)體層；位于第一半導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層之間的一活性區(qū)域；位于活性區(qū)域以及第二半導(dǎo)體層之間的一電子阻擋結(jié)構(gòu)；位于活性區(qū)域以及電子阻擋結(jié)構(gòu)之間的一第一含銦層；以及位于電子阻擋結(jié)構(gòu)以及第二半導(dǎo)體層之間的一第二含銦層，其中第一含銦層具有一第一銦含量，第二含銦層具有一第二銦含量，且第二銦含量不同于第一銦含量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，尤其是涉及一種包含含銦層的半導(dǎo)體元件。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管被廣泛地用于固態(tài)照明光源。相較于傳統(tǒng)的白熾燈泡和熒光燈，發(fā)光二極管具有耗電量低以及壽命長等優(yōu)點，因此發(fā)光二極管已逐漸取代傳統(tǒng)光源，并且應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如交通號志、背光模塊、路燈照明、醫(yī)療設(shè)備等。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件，其包含︰一第一半導(dǎo)體層；位于第一半導(dǎo)體層上的一第二半導(dǎo)體層；位于第一半導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層之間的一活性區(qū)域；位于活性區(qū)域以及第二半導(dǎo)體層之間的一電子阻擋結(jié)構(gòu)；位于活性區(qū)域以及電子阻擋結(jié)構(gòu)之間的一第一含銦層；以及位于電子阻擋結(jié)構(gòu)以及第二半導(dǎo)體層之間的一第二含銦層，其中第一含銦層具有一第一銦含量，第二含銦層具有一第二銦含量，且第二銦含量不同于第一銦含量。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件，其包含︰一第一半導(dǎo)體層；位于第一半導(dǎo)體層上的一第二半導(dǎo)體層；位于第一半導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層之間的一活性區(qū)域；位于活性區(qū)域以及第二半導(dǎo)體層之間的一電子阻擋結(jié)構(gòu)；位于活性區(qū)域以及電子阻擋結(jié)構(gòu)之間的一第一含銦層；以及位于電子阻擋結(jié)構(gòu)以及第二半導(dǎo)體層之間的一第二含銦層，其中第一含銦層具有一第一鋁含量，第二含銦層具有一第二鋁含量，且第二鋁含量不同于第一鋁含量。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體元件的剖視圖；

圖2為本發(fā)明的第一實施例的半導(dǎo)體元件的活性區(qū)域的剖視圖；

圖3為本發(fā)明的第二實施例的半導(dǎo)體元件的剖視圖。

符號說明

1、2：半導(dǎo)體元件

10：基板

20：第一半導(dǎo)體層

30：第二半導(dǎo)體層

40：活性區(qū)域

50：第一含銦層

60：第二含銦層

70：電子阻擋結(jié)構(gòu)

80：第一電極

90：第二電極

100：第五半導(dǎo)體層

31：最頂部半導(dǎo)體表面

403：上表面

401：阱層

402：阻障層

601：底表面

602：頂表面

C₁、C₂：濃度

具體實施方式

以下實施例將伴隨著附圖說明本發(fā)明的概念，在附圖或說明中，相似或相同的部分使用相同的標號，并且在附圖中，元件的形狀或厚度可擴大或縮小。需特別注意的是，圖中未繪示或說明書未描述的元件，可以是熟悉此技術(shù)的人士所知的形式。