[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811398810.1
• 申請(qǐng)日: 2018-11-22
• 公開（公告）號(hào): CN109817777B
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴煥友;彭立琪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/14
• 分類號(hào): H01L33/14;H01L33/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含︰

第一半導(dǎo)體層；

位于該第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層；

位于該第一半導(dǎo)體層以及該第二半導(dǎo)體層之間的活性區(qū)域；

位于該活性區(qū)域以及該第二半導(dǎo)體層之間的電子阻擋結(jié)構(gòu)；

位于該活性區(qū)域以及該電子阻擋結(jié)構(gòu)之間的第一含銦層；以及

位于該電子阻擋結(jié)構(gòu)以及該第二半導(dǎo)體層之間的第二含銦層，其中該第一含銦層具有第一銦含量，該第二含銦層具有第二銦含量，該第二銦含量不同于該第一銦含量，且該第一含銦層包含一第一鋁含量，該第二含銦層包含一第二鋁含量，該第一鋁含量不同于該第二鋁含量。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該電子阻擋結(jié)構(gòu)與該第一含銦層直接接觸，且該第一銦含量大于該第二銦含量。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該電子阻擋結(jié)構(gòu)與該第二含銦層各包含摻雜物，各該摻雜物具有一摻雜濃度，該第二含銦層的該摻雜物的該摻雜濃度小于該電子阻擋結(jié)構(gòu)的該摻雜物的該摻雜濃度。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一含銦層包含摻雜物，其具有摻雜濃度，該第一含銦層的該摻雜物的該摻雜濃度介于該電子阻擋結(jié)構(gòu)的該摻雜物的該摻雜濃度與該第二含銦層的該摻雜物的該摻雜濃度之間。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包含位于該第二含銦層上的最頂部半導(dǎo)體表面，該活性區(qū)域包含面對(duì)該第一含銦層的一上表面，該活性區(qū)域的該上表面與該最頂部半導(dǎo)體表面之間的距離不超過140納米。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二含銦層包含底表面以及與該底表面相對(duì)的頂表面，其中該底表面面對(duì)該第一含銦層，該第二含銦層的該底表面與該活性區(qū)域的該上表面之間的一距離不小于40納米。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該活性區(qū)域包含交替的多個(gè)阱層和多個(gè)阻障層，該多個(gè)阱層之一包含第三銦含量，該阱層的該第三銦含量與該第二含銦層的該第二銦含量的比值不小于20，且不大于1200。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其還包含第五半導(dǎo)體層，其位于該電子阻擋結(jié)構(gòu)和該第一含銦層之間，其中該第二銦含量大于該第一銦含量。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一鋁含量大于該第二鋁含量。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第二含銦層的厚度不小于30納米，且不大于70納米。